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New InGaAs THz Schottky Detectors with Nanowire Contact for Zero-Bias Operation

Hajo, A. S. ; Yilmazoglu, O. ; Küppers, F. (2018)
New InGaAs THz Schottky Detectors with Nanowire Contact for Zero-Bias Operation.
2018 43rd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz).
doi: 10.1109/IRMMW-THz.2018.8510152
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2018
Autor(en): Hajo, A. S. ; Yilmazoglu, O. ; Küppers, F.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: New InGaAs THz Schottky Detectors with Nanowire Contact for Zero-Bias Operation
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: September 2018
Veranstaltungstitel: 2018 43rd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
DOI: 10.1109/IRMMW-THz.2018.8510152
Freie Schlagworte: gallium arsenide;III-V semiconductors;indium compounds;microwave diodes;nanowires;Schottky diodes;silver;terahertz wave detectors;wide band gap semiconductors;air-bridge contact;Schottky diodes;zero-bias operation;silver nanowire;vertically contacted high doped indium gallium arsenide;terahertz Schottky detectors;voltage 0.05 V;current 100 muA;InGaAs;Detectors;Schottky diodes;Indium gallium arsenide;Gallium arsenide;Capacitance;Antennas
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Photonik und Optische Nachrichtentechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP)
Hinterlegungsdatum: 21 Feb 2019 12:32
Letzte Änderung: 13 Dez 2019 11:20
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