Preis, S. ; Wiens, A. ; Lia, E. ; Heinrich, W. ; Jakoby, R. ; Maune, H. ; Bengtsson, O. (2018)
A High-Efficiency GaN Transistor Module with Thick-Film BST-Based Tunable Matching Network.
2018 48th European Microwave Conference (EuMC).
doi: 10.23919/EuMC.2018.8541808
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Konferenzveröffentlichung |
|---|---|
| Erschienen: | 2018 |
| Autor(en): | Preis, S. ; Wiens, A. ; Lia, E. ; Heinrich, W. ; Jakoby, R. ; Maune, H. ; Bengtsson, O. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | A High-Efficiency GaN Transistor Module with Thick-Film BST-Based Tunable Matching Network |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | September 2018 |
| Veranstaltungstitel: | 2018 48th European Microwave Conference (EuMC) |
| DOI: | 10.23919/EuMC.2018.8541808 |
| Freie Schlagworte: | barium compounds;code division multiple access;gallium compounds;high electron mobility transistors;III-V semiconductors;Long Term Evolution;strontium compounds;UHF power amplifiers;varactors;wide band gap semiconductors;robust tunable devices;frequency agility;power amplifier;high-efficiency GaN transistor module;GaN HEMT;tunable matching network;thick-film BST;thick-film barium-strontium-titanate varactors package;LTE measurements;WCDMA measurements;temperature 20.0 degC to 80.0 degC;frequency 1.5 GHz to 2.45 GHz;GaN;(BaSr)TiO3;Varactors;Temperature measurement;Aluminum oxide;Substrates;Transistors;Thermal conductivity;Conductivity;Barium-Strontium-Titanate (BST);Ferroelectric films;Gallium nitride (GaN);HEMTs;Power amplifiers;Power transistors;Tunable circuits;Varactors |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Mikrowellentechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) |
| Hinterlegungsdatum: | 05 Feb 2019 13:10 |
| Letzte Änderung: | 05 Feb 2019 13:10 |
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