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Characterization and Modeling of Epitaxially Grown BST on a Conducting Oxide Electrode

Walk, D. ; Salg, P. ; Kienemund, D. ; Radetinac, A. ; Zeinar, L. ; Schuster, C. ; Komissinskiy, P. ; Alff, L. ; Jakoby, R. ; Maune, H. (2018)
Characterization and Modeling of Epitaxially Grown BST on a Conducting Oxide Electrode.
2018 48th European Microwave Conference (EuMC).
doi: 10.23919/EuMC.2018.8541771
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2018
Autor(en): Walk, D. ; Salg, P. ; Kienemund, D. ; Radetinac, A. ; Zeinar, L. ; Schuster, C. ; Komissinskiy, P. ; Alff, L. ; Jakoby, R. ; Maune, H.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Characterization and Modeling of Epitaxially Grown BST on a Conducting Oxide Electrode
Sprache: Deutsch
Publikationsjahr: September 2018
Veranstaltungstitel: 2018 48th European Microwave Conference (EuMC)
DOI: 10.23919/EuMC.2018.8541771
Freie Schlagworte: barium compounds;capacitance;dielectric thin films;epitaxial growth;epitaxial layers;leakage currents;paramagnetic resonance;permittivity;strontium compounds;varactors;Q factor;effective capacitance;leakage current;epitaxial growth;EM-model;conducting oxide;thin film BST50 varactor growth;ESR;permittivity;frequency 1.0 GHz;Ba0.5Sr0.5TiO3;Q-factor;Electrodes;Varactors;Capacitance;Q measurement;Permittivity measurement;Frequency measurement
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Mikrowellentechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP)
Hinterlegungsdatum: 06 Feb 2019 10:58
Letzte Änderung: 16 Dez 2019 11:49
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