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Load Tuning Assisted Discrete-Level Supply Modulation Using BST and GaN Devices for Highly Efficient Power Amplifiers

Preis, S. ; Wolff, N. ; Lenze, F. ; Wiens, A. ; Jakoby, R. ; Heinrich, W. ; Bengtsson, O. (2018)
Load Tuning Assisted Discrete-Level Supply Modulation Using BST and GaN Devices for Highly Efficient Power Amplifiers.
2018 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS.
doi: 10.1109/MWSYM.2018.8439135
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2018
Autor(en): Preis, S. ; Wolff, N. ; Lenze, F. ; Wiens, A. ; Jakoby, R. ; Heinrich, W. ; Bengtsson, O.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Load Tuning Assisted Discrete-Level Supply Modulation Using BST and GaN Devices for Highly Efficient Power Amplifiers
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: Juni 2018
Veranstaltungstitel: 2018 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS
DOI: 10.1109/MWSYM.2018.8439135
Freie Schlagworte: Modulation;Varactors;Tuning;Transistors;Gallium nitride;Peak to average power ratio;Power amplifiers;Gallium nitride;HEMTs;load modulation;power amplifiers;supply modulation;varactors
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Mikrowellentechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP)
Hinterlegungsdatum: 06 Feb 2019 11:01
Letzte Änderung: 06 Feb 2019 11:01
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