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1550-nm Driven ErAs: In (Al) GaAs Photoconductor-Based Terahertz Time Domain System with 6.5 THz Bandwidth

Nandi, U. ; Norman, J. C. ; Gossard, A. C. ; Lu, H. ; Preu, Sascha (2018)
1550-nm Driven ErAs: In (Al) GaAs Photoconductor-Based Terahertz Time Domain System with 6.5 THz Bandwidth.
In: Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, 39 (4)
doi: 10.1007/s10762-018-0471-9
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2018
Autor(en): Nandi, U. ; Norman, J. C. ; Gossard, A. C. ; Lu, H. ; Preu, Sascha
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: 1550-nm Driven ErAs: In (Al) GaAs Photoconductor-Based Terahertz Time Domain System with 6.5 THz Bandwidth
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: April 2018
Verlag: Springer Nature
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 39
(Heft-)Nummer: 4
DOI: 10.1007/s10762-018-0471-9
URL / URN: https://link.springer.com/article/10.1007/s10762-018-0471-9
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP)
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > THz Bauelemente und THz Systeme
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Terahertz Systems
Hinterlegungsdatum: 11 Okt 2018 15:27
Letzte Änderung: 10 Dez 2021 07:13
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