Die vorliegende Arbeit widmet sich der Beschreibung der Mikrostruktur des Kohlenstoffs, den elektrischen Eigenschaften und dem piezoresistivem Verhalten von Polymer-abgeleiteten Siliciumoxycarbid (SiOC/C) Nanokompositen mit einer Kohlenstoffkonzentration im Bereich von 1 bis 45 vol.%. Die Nanokomposite werden mittels direkter Polymer-zu-Keramik Umwandlung synthetisiert wobei poly-organosilikone und präkeramische Polymere zunächst pyrolysiert und anschließend verdichtet werden (Spark Plasma Sintering, 1000 < T < 1800 °C; P = 50 MPa, Argon). Mit Hilfe spektroskopischer (Raman, TGA-FTIR, XRD, XPS) und elektrischer (Gleichstromwiderstand, Impedanz, Hall Effekt) Untersuchungen werden die jeweiligen Proben charakterisiert. Die Proben setzen sich aus einer glasartigen Matrix (Silica, SiOxC4-x), Siliciumcarbid und einer segregierten Kohlenstoffphase zusammen und werden, um die elektrischen und piezoresistiven Eigenschaften zu beschreiben, nährungsweise als ein Zweikomponentensystem (Glass/Kohlenstoff) betrachtet. Der Zustand des Kohlenstoffs in SiOC/C hängt von dem Kohlenstoffanteil des verwendeten Präkursors und der thermischen Behandlung ab. Wie die UV Raman-Untersuchungen belegen, wandelt sich die Kohlenstoffphase von einem ungeordneten (amorphen) in einen nanokristallinen Zustand innerhalb des Temperaturbereichs 1000 < T < 1800 °C um. Die fortschreitende Ordnung oder Graphitisierung wird durch die zunehmende laterale Kristallitgröße (7.5 < La < 20 nm) und der damit zusammenhängenden Abnahme der Defektdichte, welche aus dem AD/AG Verhältnis der Raman D- und G-Banden abgeleitet werden kann, verdeutlicht. Leerstellen innerhalb der Kohlenstoffphase werden als wesentliche Art der Defekte identifiziert. Im Gegensatz zu Proben mit sehr geringem Kohlenstoffanteil (C < 1 vol.%) werden die elektrischen und piezoresistiven Eigenschaften von SiOC/C hauptsächlich von dem Zustand des Kohlenstoffs bestimmt. Für Proben hergestellt bei T = 1600 °C nimmt der elektrische Widerstand um mehrere Größenordnungen ab, wenn der Kohlenstoffanteil die kritische Konzentration von 6 vol.% überschreitet. Proben, die hingegen bei 1000 oder 1400 °C synthetisiert wurden, besitzen eine deutlich höhere Perkolationsgrenze von 20 und 8 vol.%, da die Kohlenstoffphase schwächer graphitisiert vorliegt. Oberhalb der Perkolationsgrenze wird der schwach aktivierte (Ea < 0.1 eV) elektrische Transport durch konjugierter sp²-Bindungen innerhalb des durchgängigen dreidimensionalen Kohlenstoffsnetzwerk realisiert. Die Ladungsträgermobilität (μ ≈ 3 cm²/Vs) und Dichte der Ladungsträger (N = 1018 – 1020 cm-³) entspricht der von glasartigen Kohlenstoff. An der Perkolationsgrenze wechselt der elektrische Leitungsmechanismus von einem bandähnlichem Transport zu einem Transport innerhalb lokalisierter Zuständen, was durch ein Anstieg in der Aktivierungsenergie (Ea ≈ 0.3 eV) verdeutlicht wird. Dies resultiert wahrscheinlich aus einer Elektronen/Locheinschränkung sobald sich die Lokalisierungslänge, der Kristallitgröße von La ≲ 10 nm nähert (La sinkt im Bereich von 1 bis 10 vol.% Kohlenstoff von 8 auf 4 nm). SiOC/C verändert unter Druck seinen elektrischen Widerstand, weshalb der piezoresistive Effekt folglich mit dem Anteil an Kohlenstoff und dessen Graphitisierungszustand zusammenhängt. Innerhalb 1 bis 10 vol.% Kohlenstoff steigt der gauge Faktor (GF) bis zur Perkolationsgrenze (GF ≈ 45) und scheint mit Tunnelprozessen der Ladungsträger verbunden zu sein. Extrem hohe GF Werte (> 1000) an der Perkolationsgrenze suggerieren entweder eine Divergenz der GF-Funktion, oder einer erhöhten lokalen Belastung, welche um einen Verstärkungsfaktor von der Belastung innerhalb des Probe abweichen. Oberhalb der Perkolationsgrenze hängt GF von der Defektdichte innerhalb des durchgehenden Kohlenstoffnetzwerkes ab. Eine durch Belastung induzierte erhöhte Zustandsdichte nahe EF wurde als Ursache für das piezoresistive Verhalten ermittelt, welches durch eine Änderung der Ladungsträgermobilität nicht erklärt werden kann. Ausgehend von den piezoresistiven Ergebnissen lässt sich ein hochtemperaturstabiler Drucksensor entwickeln, welcher sowohl statisch als auch dynamisch Anregungen detektieren kann. Auf Basis der ermittelten Ergebnisse wurde ein Prototyp entwickelt, welcher die Eigenfrequenz eines Planetengetriebes detektiert.