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Anzahl der Einträge: 8.

Zhu, X. ; Wang, J. ; Pavlidis, Dimitris ; Hsu, S. (2006)
InP/GaAsSb/InP DHBT Technology and its Application to MM-Wave Integrated Oscillators.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Wang, J. ; Zhu, X. ; Pavlidis, Dimitris (2006)
Low-power InP/GaAsSb/InP DHBT cascode transimpedance amplifier with GBP/P-dc of 7.2 GHz/mW.
In: Electronics Letters, 42
Artikel, Bibliographie

Zhu, X. ; Wang, J. ; Pavlidis, D. (2005)
First demonstration of basic- and Darlington-Coupled monolithic transimpedance amplifiers using InP/GaAsSb/InP DHBTs.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Zhu, X. ; Wang, J. ; Pavlidis, D. (2005)
InP/GaAsSb/InP DHBT monolithic transimpedance amplifier with large dynamic range.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Wang, J. ; Zhu, X. ; Pavlidis, D. ; Hsu, Shawn (2005)
Monolithic transimpedance amplifiers for low-power/low-noise and maximum bandwidth using InP/GaAsSb/InP DHBTs.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Zhu, X. ; Pavlidis, Dimitris ; Zhao, G. ; Han, B.-K. ; Wibowo, A. ; Pan, N. (2004)
First power demonstration of InP/GaAsSb/InP double HBTs.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Zhu, X. ; Pavlidis, Dimitris ; Zhao, G. ; Bove, P. ; Lahrèche, H. ; Langer, R. (2003)
First microwave characteristics of InGaAlAs/GaAsSb/InP double HBTs.
In: IEICE Transactions C: IEICE Transactions on Electronics, 86 (10)
Artikel, Bibliographie

Zhu, X. ; Pavlidis, Dimitris ; Zhao, G. (2003)
First high-frequency amd power demonstration of InGaAlAs/GaAsSb/InP double HBTs.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

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