Fritsche, R. ; Wisotzki, E. ; Islam, A. B. M. O. ; Thissen, A. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram ; Rudolph, R. ; Tonti, D. ; Pettenkofer, C. (2021)
Electronic passivation of Si(111) by Ga–Se half-sheet termination.
In: Applied Physics Letters, 80 (8)
doi: 10.26083/tuprints-00019835
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion

Wisotzki, E. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, W. (2005)
Van der Waals' condensation of ZnSe on layered GaSe van der Waals' surfaces: A new route to self-organized well-defined quantum dot structures.
In: Advanced Materials, 17 (9)
doi: 10.1002/adma.200401562
Artikel, Bibliographie

Fritsche, R. ; Wisotzki, E. ; Thißen, A. ; Islam, A. B. M. O. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, W. ; Rudolph, R. ; Tonti, D. ; Pettenkofer, C. (2002)
Preparation of a Si(111):GaSe van der Waals surface termination by selenization of a monolayer Ga on Si(111).
In: Surface Science, 515 (2-3)
doi: 10.1016/S0039-6028(02)01851-4
Artikel, Bibliographie

Fritsche, R. ; Wisotzki, E. ; Islam, A. B. M. O. ; Thissen, A. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, W. ; Rudolph, R. ; Tonti, D. ; Pettenkofer, C. (2002)
Electronic passivation of Si(111) by Ga–Se half-sheet termination.
In: Applied Physics Letters, 80 (8)
doi: 10.1063/1.1454228
Artikel, Bibliographie

Wisotzki, E. ; Balogh, Adam G. ; Hahn, H. ; Wolan, J. T. ; Hoflund, G. B. (1999)
Room-temperature growth of ZrO2 thin films using a novel hyperthermal oxygen-atom source.
In: Journal of Vacuum Science and Technology A, 17 (1)
doi: 10.1116/1.581547
Artikel, Bibliographie