Goldhorn, Andreas (1996):
Technologie und Charakterisierung von PIN-Diode und Heterostruktur-Bipolartransistoren im Materialsystem InP-InGaAs für die Integration optischer Empfänger.
Darmstadt: 1996. XIV,96 S., Darmstadt, Technische Univ. Darmstadt, TU Darmstadt,
[Ph.D. Thesis]
| Item Type: | Ph.D. Thesis |
|---|---|
| Erschienen: | 1996 |
| Creators: | Goldhorn, Andreas |
| Title: | Technologie und Charakterisierung von PIN-Diode und Heterostruktur-Bipolartransistoren im Materialsystem InP-InGaAs für die Integration optischer Empfänger |
| Language: | German |
| Place of Publication: | Darmstadt |
| Publisher: | Technische Univ. Darmstadt |
| Edition: | Darmstadt: 1996. XIV,96 S. |
| Collation: | XIV,96 S. |
| Divisions: | 18 Department of Electrical Engineering and Information Technology |
| Date Deposited: | 19 Nov 2008 15:56 |
| License: | [undefiniert] |
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