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Volz, K ; Schreiber, S ; Gerlach, J. W. ; Reiber, W ; Rauschenbach, B ; Stritzker, B ; Assmann, W ; Ensinger, W :
Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on (100) silicon by C60 and Si molecular beam epitaxy.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1016/S0921-5093(00)00825-X]
In: Materials Science and Engineering: A, 289 (1-2) pp. 255-264. ISSN 09215093
[Artikel], (2000)

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