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A Wideband RF Power Detector with -56 dBm Sensitivity and 64 dB Dynamic Range in SiGe BiCMOS Technology

Lakshminarayanan, Sreekesh ; Hofmann, Klaus (2017)
A Wideband RF Power Detector with -56 dBm Sensitivity and 64 dB Dynamic Range in SiGe BiCMOS Technology.
IEEE International Symposium on Circuits and Systems. Baltimore, Maryland, USA
doi: 10.1109/ISCAS.2017.8050666
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2017
Autor(en): Lakshminarayanan, Sreekesh ; Hofmann, Klaus
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: A Wideband RF Power Detector with -56 dBm Sensitivity and 64 dB Dynamic Range in SiGe BiCMOS Technology
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 30 Mai 2017
Veranstaltungstitel: IEEE International Symposium on Circuits and Systems
Veranstaltungsort: Baltimore, Maryland, USA
DOI: 10.1109/ISCAS.2017.8050666
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Datentechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Datentechnik > Integrierte Elektronische Systeme (IES)
Hinterlegungsdatum: 19 Apr 2018 13:45
Letzte Änderung: 19 Apr 2018 13:45
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