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Continuous-wave 1550 nm operated terahertz system using ErAs:In(Al)GaAs photo-conductors with 52 dB dynamic range at 1 THz

Fernandez Olvera, Anuar de Jesus ; Lu, H. ; Gossard, A. C. ; Preu, S. (2017)
Continuous-wave 1550 nm operated terahertz system using ErAs:In(Al)GaAs photo-conductors with 52 dB dynamic range at 1 THz.
In: Opt. Express, 25 (23)
doi: 10.1364/OE.25.029492
Artikel, Bibliographie

Kurzbeschreibung (Abstract)

Telecom-wavelength compatible photoconductors benefit strongly from the large amount and affordability of telecom lasers and components but there are demanding requirements on material development. We demonstrate continuous-wave (CW) photomixing with a setup that only uses ErAs:In(Al)GaAs devices with a peak dynamic range (DNR) of 78 dB and a bandwidth of ∼3.65 THz at an integration time of 300 ms and only 26 mW laser power on each device. The ErAs:InGaAs receiver further features a factor of two lower noise equivalent power (NEP) than a state-of-the-art photoconductor, despite an antenna mismatch.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2017
Autor(en): Fernandez Olvera, Anuar de Jesus ; Lu, H. ; Gossard, A. C. ; Preu, S.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Continuous-wave 1550 nm operated terahertz system using ErAs:In(Al)GaAs photo-conductors with 52 dB dynamic range at 1 THz
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: November 2017
Verlag: OSA
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Opt. Express
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 25
(Heft-)Nummer: 23
DOI: 10.1364/OE.25.029492
URL / URN: http://www.tsys.tu-darmstadt.de/Preu_ErAsInGaAs_CW
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Kurzbeschreibung (Abstract):

Telecom-wavelength compatible photoconductors benefit strongly from the large amount and affordability of telecom lasers and components but there are demanding requirements on material development. We demonstrate continuous-wave (CW) photomixing with a setup that only uses ErAs:In(Al)GaAs devices with a peak dynamic range (DNR) of 78 dB and a bandwidth of ∼3.65 THz at an integration time of 300 ms and only 26 mW laser power on each device. The ErAs:InGaAs receiver further features a factor of two lower noise equivalent power (NEP) than a state-of-the-art photoconductor, despite an antenna mismatch.

Freie Schlagworte: Photoconductivity; Photoconductive materials; Detectors; Far infrared or terahertz
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP)
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > THz Bauelemente und THz Systeme
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Terahertz Systems
Hinterlegungsdatum: 05 Dez 2017 12:54
Letzte Änderung: 10 Dez 2021 07:13
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