Schwarz, Mike ; Calvet, Laurie E. ; Snyder, John P. ; Krauss, Tillmann ; Schwalke, Udo ; Kloes, Alexander (2017)
On the Physical Behavior of Cryogenic IV and III-V Schottky Barrier MOSFET Devices.
In: IEEE Transactions on Electron Devices, 99
Artikel, Bibliographie
URL / URN: https://doi.org/10.1109/TED.2017.2726899
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2017 |
| Autor(en): | Schwarz, Mike ; Calvet, Laurie E. ; Snyder, John P. ; Krauss, Tillmann ; Schwalke, Udo ; Kloes, Alexander |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | On the Physical Behavior of Cryogenic IV and III-V Schottky Barrier MOSFET Devices |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 28 Juli 2017 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | IEEE Transactions on Electron Devices |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 99 |
| URL / URN: | https://doi.org/10.1109/TED.2017.2726899 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 01 Aug 2017 08:36 |
| Letzte Änderung: | 01 Aug 2017 08:36 |
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