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On the Physical Behavior of Cryogenic IV and III-V Schottky Barrier MOSFET Devices

Schwarz, Mike ; Calvet, Laurie E. ; Snyder, John P. ; Krauss, Tillmann ; Schwalke, Udo ; Kloes, Alexander :
On the Physical Behavior of Cryogenic IV and III-V Schottky Barrier MOSFET Devices.
[Online-Edition: https://doi.org/10.1109/TED.2017.2726899]
In: IEEE Transactions on Electron Devices, 99 pp. 1-8.
[Artikel], (2017)

Offizielle URL: https://doi.org/10.1109/TED.2017.2726899
Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2017
Autor(en): Schwarz, Mike ; Calvet, Laurie E. ; Snyder, John P. ; Krauss, Tillmann ; Schwalke, Udo ; Kloes, Alexander
Titel: On the Physical Behavior of Cryogenic IV and III-V Schottky Barrier MOSFET Devices
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: IEEE Transactions on Electron Devices
Band: 99
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 01 Aug 2017 08:36
Offizielle URL: https://doi.org/10.1109/TED.2017.2726899
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