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Damage characterization of InP after reactive ion etching using the low-frequency noise measurement technique

Gottwald, P. ; Kräutle, ; Szentpali, B. ; Kincses, Z. ; Hartnagel, H. L. (1997)
Damage characterization of InP after reactive ion etching using the low-frequency noise measurement technique.
In: Solid state electronics, 41 (4)
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1997
Autor(en): Gottwald, P. ; Kräutle, ; Szentpali, B. ; Kincses, Z. ; Hartnagel, H. L.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Damage characterization of InP after reactive ion etching using the low-frequency noise measurement technique
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 1997
Verlag: Elsevier
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Solid state electronics
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 41
(Heft-)Nummer: 4
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:04
Letzte Änderung: 24 Feb 2022 12:36
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