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Damage characterization of InP after reactive ion etching using the low-frequency noise measurement technique

Gottwald, P. ; Kräutle, ; Szentpáli, ; Kincses, ; Hartnagel, :
Damage characterization of InP after reactive ion etching using the low-frequency noise measurement technique.
In: Solid-state electronics. 41 (1997), No. 4, S. 539-545
[Artikel], (1997)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1997
Autor(en): Gottwald, P. ; Kräutle, ; Szentpáli, ; Kincses, ; Hartnagel,
Titel: Damage characterization of InP after reactive ion etching using the low-frequency noise measurement technique
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Solid-state electronics. 41 (1997), No. 4, S. 539-545
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:04
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