Wiens, A. ; Preis, S. ; Schuster, C. ; Nikfalazar, M. ; Damm, C. ; Schuessler, M. ; Heinrich, W. ; Bengtsson, O. ; Jakoby, R. (2016)
Wideband tunable GaN HEMT module utilizing thin-film BST varactors for efficiency optimization.
2016 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS).
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
URL / URN: https://doi.org/10.1109/MWSYM.2016.7540375
| Typ des Eintrags: | Konferenzveröffentlichung |
|---|---|
| Erschienen: | 2016 |
| Autor(en): | Wiens, A. ; Preis, S. ; Schuster, C. ; Nikfalazar, M. ; Damm, C. ; Schuessler, M. ; Heinrich, W. ; Bengtsson, O. ; Jakoby, R. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Wideband tunable GaN HEMT module utilizing thin-film BST varactors for efficiency optimization |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | Mai 2016 |
| Veranstaltungstitel: | 2016 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS) |
| URL / URN: | https://doi.org/10.1109/MWSYM.2016.7540375 |
| Freie Schlagworte: | III-V semiconductors;UHF power amplifiers;gallium compounds;high electron mobility transistors;impedance matching;lead bonding;varactors;wide band gap semiconductors;HEMT;OIP3;TMN transforms;efficiency optimization;frequency 1 GHz to 2.5 GHz;resistance 50 ohm;thin-film BST varactors;transistor cell;tunable amplifier module;tunable impedance matching network;wire-bonding;Frequency measurement;Gallium nitride;HEMTs;Impedance;Power generation;Voltage measurement;passive circuits;power amplifiers;tunable impedance matching |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Mikrowellentechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Terahertz Sensors Group |
| Hinterlegungsdatum: | 27 Mär 2017 11:41 |
| Letzte Änderung: | 16 Dez 2019 11:49 |
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