Preis, S. ; Ferretti, J. ; Wolff, N. ; Wiens, A. ; Jakoby, R. ; Heinrich, W. ; Bengtsson, O. (2016)
Response time of VSWR protection for GaN HEMT based power amplifiers.
2016 46th European Microwave Conference (EuMC).
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
URL / URN: https://doi.org/10.1109/EuMC.2016.7824364
| Typ des Eintrags: | Konferenzveröffentlichung |
|---|---|
| Erschienen: | 2016 |
| Autor(en): | Preis, S. ; Ferretti, J. ; Wolff, N. ; Wiens, A. ; Jakoby, R. ; Heinrich, W. ; Bengtsson, O. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Response time of VSWR protection for GaN HEMT based power amplifiers |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | Oktober 2016 |
| Veranstaltungstitel: | 2016 46th European Microwave Conference (EuMC) |
| URL / URN: | https://doi.org/10.1109/EuMC.2016.7824364 |
| Freie Schlagworte: | III-V semiconductors;electric breakdown;gallium compounds;high electron mobility transistors;power amplifiers;wide band gap semiconductors;BST varactors;GaN;GaN HEMT based power amplifiers;GaN based voltage switch;VSWR protection response time;barium-strontium-titanate varactors;high voltage standing wave ratios;thermal breakdown properties;thick-film BST MIM varactor;varactor modulator;voltage breakdown properties;Gallium nitride;Logic gates;Switches;Transistors;Varactors;Voltage control;Voltage measurement;BST;GaN;HEMT;VSWR;ceramics;power amplifier;varactors |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Mikrowellentechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik |
| Hinterlegungsdatum: | 27 Mär 2017 11:40 |
| Letzte Änderung: | 28 Mär 2017 10:05 |
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