Das Forschungsgebiet der druckbaren Elektronik konnte in den letzten Jahren viel Aufmerksamkeit erregen, da es bestehende Grenzen der konventionellen Technik aufweicht und neue Produktionsstrategien von elektrischen Bauteilen ermöglicht. Ein Beispiel für diese neuen Möglichkeiten ist die Verwendung von flexiblen Substraten, welche in Zukunft zu flexiblen elektrischen (portablen) Geräten und Displays führen kann. Durch die druckbare Elektronik ist es möglich verschiedenste Ausgangsmaterialien für den Druckprozess zu verwenden; dementsprechend ist die Wahl geeigneter funktionaler und aktiver, druckbarer Materialien essentiell für die geeignete Anwendung in den einzelnen Bauteilen. Die zentralen Bauteile eines elektrischen Schaltkreises sind Transistoren, welche als Schalter fungieren und das elektrische Bauteil steuern. Eine bestimmte Art von Transistoren sind Feldeffekttransistoren (FETs), deren Funktion i.d.R. auf anorganischen Halbleitern als Kanalmaterialien basiert, welche durch angelegte elektrische Felder in einen elektrisch leitfähigen Zustand gebracht werden können. Inerte anorganische Halbleiter auf Oxidbasis werden aufgrund ihrer hohen elektronischen Transporteigenschaften und hohen intrinsischen Ladungsträgerbeweglichkeiten als geeignete Materialien für FETs angesehen. Eine wichtige Komponente in den FETs sind Dielektrika, welche die angelegte Feldstärke und deren Einfluss auf den Halbleiter kontrollieren. Alternativ zu Dielektrika können Elektrolyte zur Steuerung der Leitfähigkeit des Halbleiters genutzt werden. In der vorliegenden Arbeit werden druckbare Feststoff-Polymer-Kompositelektrolyte (CSPEs – composite solid polymer electrolytes) als Elektrolyt gewählt, da diese hohe Kapazitäten aufweisen (1-10 µF/cm²) und sich an die Rauigkeit verschiedener Oberflächen anpassen können. Diese Eigenschaften lassen CPSEs zu idealen Elektrolyten für gedruckte FETs werden. In dieser Arbeit werden zwei verschiedene Druckansätze für Halbleitermaterialien vorgestellt; dabei beruht die Erste auf Precursoren, welche durch Nachbehandlung zu einem halbleitenden Material werden, die Zweite auf Nanopartikeldispersionen welche durch Agglomeration der Partikel eine durchgängige Schicht bilden. Halbleitermaterialien aus Indiumoxidprecursoren, welche auf 300-500 °C erhitzt wurden, zeigen hierbei aussergewöhnlich hohe Feldeffektmobilitäten (126 cm²/Vs) und Anstiege der Übertragungskennlinien (68 mV/Dekade), welche nahe an der theoretischen Grenze liegen. Im Zuge dieser Arbeit wurden hierbei auch die Einflüsse der Heizraten auf die elektrischen und materialwissenschaftlichen Eigenschaften der Kanalmaterialien untersucht und komplexere elektrische Bauteile (z.B. CMOS-Inverter) aus den gedruckten Transistoren hergestellt. Ein gedruckter CMOS-Inverter mit einer Signalverstärkung von 21 bei 1,5 V konnte hierbei durch Nutzung von Kupferoxid- und Indiumoxid-Precursorverbindungen hergestellt werden. Als zweiter Ansatz wurde, um hohe Prozessierungstemperaturen zu umgehen, eine neuartige Methode, welche auf einer chemischen Agglomerationstechnik der Nanopartikel basiert, genutzt, damit Feldeffektmobilitäten von 12,5 cm²/Vs erreicht werden konnten. Diese Werte sind für nanopartikelbasierte Kanäle, die ausschließlich bei Raumtemperatur (RT) prozessiert wurden, auffallend hoch. Auch mit dieser Methode konnten erfolgreich CMOS-Schaltkreise gedruckt werden. Eine weitere Methode zur niedrigtemperatur Synthese von FETs auf Kunststoffmaterialien ist UV-Lichtbehandlung von Precursoren mit Laser oder Gasentladungslampen, welche Mobilitätswerte von 15 bzw. 50 cm²/Vs erzeugt, während bei nanopartikelbasierten FETs mit den gleichen Methoden 12 bzw. 8 cm²/VS erhalten wurden. Im Vergleich zu organischen Halbleitern zeigen diese Werte die herausragenden Eigenschaften von bei Raumtemperatur hergestellten FETs. Desweiteren sind die genutzten Betriebsspannungen von weniger als 2 V sehr attraktiv für portable Elektrogeräte welche eine tragbare Energiequelle benötigen.