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Feldeffekttransistor-Anordnung

Krauss, Tillmann and Wessely, Frank and Schwalke, Udo (2014):
Feldeffekttransistor-Anordnung.
[Online-Edition: https://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?action=bibd...],
[Standards, patents]

Abstract

Eine Feldeffekttransistor-Anordnung mit einer planaren Kanalschicht (1) aus einem Halbleitermaterial, die mit einer Unterseite flächig auf einer Oberseite einer elektrisch isolierenden Untergrundschicht (2) aufgebracht ist und auf einer Oberseite von einer elektrisch isolierenden Elektrodenisolierungsschicht (3) bedeckt ist, weist eine Source-Elektrode (6) an einer ersten Seitenkante der Kanalschicht (1) und eine Drain-Elektrode (7) an einer zweiten Seitenkante der Kanalschicht (1) sowie eine über der Kanalschicht (1) zwischen der Source-Elektrode (6) und der Drain-Elektrode (7) angeordnete Steuerelektrode (9) auf. An einer Unterseite der Untergrundschicht (2) ist eine Einstellelektrode (5) angeordnet. Ein Kontaktbereich (8) zwischen der Source-Elektrode (6) und der planaren Kanalschicht (1) sowie ein Kontaktbereich (8) zwischen der Drain-Elektrode (7) und der planaren Kanalschicht (1) ist jeweils als eine Midgap-Schottky-Barriere ausgestaltet. In der Nähe des Kontaktbereichs (8) der Source-Elektrode (6) und in der Nähe des Kontaktbereichs (8) der Drain-Elektrode (6) ist jeweils eine Barrieresteuerelektrode (10) angeordnet. Die Barrieresteuerelektroden (10) können jeweils eine in Richtung der planaren Kanalschicht (1) vorspringende Ausformung (11) aufweisen. Die Steuerelektrode (9) kann zwei verschiedene Metalle mit unterschiedlichen Austrittsarbeiten aufweisen. Die Einstellelektrode (5) kann eine Dotierung aufweisen.

Item Type: Standards, patents
Erschienen: 2014
Creators: Krauss, Tillmann and Wessely, Frank and Schwalke, Udo
Title: Feldeffekttransistor-Anordnung
Language: German
Abstract:

Eine Feldeffekttransistor-Anordnung mit einer planaren Kanalschicht (1) aus einem Halbleitermaterial, die mit einer Unterseite flächig auf einer Oberseite einer elektrisch isolierenden Untergrundschicht (2) aufgebracht ist und auf einer Oberseite von einer elektrisch isolierenden Elektrodenisolierungsschicht (3) bedeckt ist, weist eine Source-Elektrode (6) an einer ersten Seitenkante der Kanalschicht (1) und eine Drain-Elektrode (7) an einer zweiten Seitenkante der Kanalschicht (1) sowie eine über der Kanalschicht (1) zwischen der Source-Elektrode (6) und der Drain-Elektrode (7) angeordnete Steuerelektrode (9) auf. An einer Unterseite der Untergrundschicht (2) ist eine Einstellelektrode (5) angeordnet. Ein Kontaktbereich (8) zwischen der Source-Elektrode (6) und der planaren Kanalschicht (1) sowie ein Kontaktbereich (8) zwischen der Drain-Elektrode (7) und der planaren Kanalschicht (1) ist jeweils als eine Midgap-Schottky-Barriere ausgestaltet. In der Nähe des Kontaktbereichs (8) der Source-Elektrode (6) und in der Nähe des Kontaktbereichs (8) der Drain-Elektrode (6) ist jeweils eine Barrieresteuerelektrode (10) angeordnet. Die Barrieresteuerelektroden (10) können jeweils eine in Richtung der planaren Kanalschicht (1) vorspringende Ausformung (11) aufweisen. Die Steuerelektrode (9) kann zwei verschiedene Metalle mit unterschiedlichen Austrittsarbeiten aufweisen. Die Einstellelektrode (5) kann eine Dotierung aufweisen.

Divisions: 18 Department of Electrical Engineering and Information Technology
18 Department of Electrical Engineering and Information Technology > Institute for Semiconductor Technology and Nano-Electronics
Date Deposited: 19 Apr 2016 12:50
Official URL: https://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?action=bibd...
Identification Number: DE102013106729A1
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