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Feldeffekttransistor-Anordnung

Krauss, Tillmann ; Wessely, Frank ; Schwalke, Udo :
Technische Universität Darmstadt
Feldeffekttransistor-Anordnung.
[Online-Edition: https://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?action=bibd...]
DE102013106729A1.
[Patent], (2014)

Offizielle URL: https://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?action=bibd...

Kurzbeschreibung (Abstract)

Eine Feldeffekttransistor-Anordnung mit einer planaren Kanalschicht (1) aus einem Halbleitermaterial, die mit einer Unterseite flächig auf einer Oberseite einer elektrisch isolierenden Untergrundschicht (2) aufgebracht ist und auf einer Oberseite von einer elektrisch isolierenden Elektrodenisolierungsschicht (3) bedeckt ist, weist eine Source-Elektrode (6) an einer ersten Seitenkante der Kanalschicht (1) und eine Drain-Elektrode (7) an einer zweiten Seitenkante der Kanalschicht (1) sowie eine über der Kanalschicht (1) zwischen der Source-Elektrode (6) und der Drain-Elektrode (7) angeordnete Steuerelektrode (9) auf. An einer Unterseite der Untergrundschicht (2) ist eine Einstellelektrode (5) angeordnet. Ein Kontaktbereich (8) zwischen der Source-Elektrode (6) und der planaren Kanalschicht (1) sowie ein Kontaktbereich (8) zwischen der Drain-Elektrode (7) und der planaren Kanalschicht (1) ist jeweils als eine Midgap-Schottky-Barriere ausgestaltet. In der Nähe des Kontaktbereichs (8) der Source-Elektrode (6) und in der Nähe des Kontaktbereichs (8) der Drain-Elektrode (6) ist jeweils eine Barrieresteuerelektrode (10) angeordnet. Die Barrieresteuerelektroden (10) können jeweils eine in Richtung der planaren Kanalschicht (1) vorspringende Ausformung (11) aufweisen. Die Steuerelektrode (9) kann zwei verschiedene Metalle mit unterschiedlichen Austrittsarbeiten aufweisen. Die Einstellelektrode (5) kann eine Dotierung aufweisen.

Typ des Eintrags: Patent
Erschienen: 2014
Autor(en): Krauss, Tillmann ; Wessely, Frank ; Schwalke, Udo
Titel: Feldeffekttransistor-Anordnung
Sprache: Deutsch
Kurzbeschreibung (Abstract):

Eine Feldeffekttransistor-Anordnung mit einer planaren Kanalschicht (1) aus einem Halbleitermaterial, die mit einer Unterseite flächig auf einer Oberseite einer elektrisch isolierenden Untergrundschicht (2) aufgebracht ist und auf einer Oberseite von einer elektrisch isolierenden Elektrodenisolierungsschicht (3) bedeckt ist, weist eine Source-Elektrode (6) an einer ersten Seitenkante der Kanalschicht (1) und eine Drain-Elektrode (7) an einer zweiten Seitenkante der Kanalschicht (1) sowie eine über der Kanalschicht (1) zwischen der Source-Elektrode (6) und der Drain-Elektrode (7) angeordnete Steuerelektrode (9) auf. An einer Unterseite der Untergrundschicht (2) ist eine Einstellelektrode (5) angeordnet. Ein Kontaktbereich (8) zwischen der Source-Elektrode (6) und der planaren Kanalschicht (1) sowie ein Kontaktbereich (8) zwischen der Drain-Elektrode (7) und der planaren Kanalschicht (1) ist jeweils als eine Midgap-Schottky-Barriere ausgestaltet. In der Nähe des Kontaktbereichs (8) der Source-Elektrode (6) und in der Nähe des Kontaktbereichs (8) der Drain-Elektrode (6) ist jeweils eine Barrieresteuerelektrode (10) angeordnet. Die Barrieresteuerelektroden (10) können jeweils eine in Richtung der planaren Kanalschicht (1) vorspringende Ausformung (11) aufweisen. Die Steuerelektrode (9) kann zwei verschiedene Metalle mit unterschiedlichen Austrittsarbeiten aufweisen. Die Einstellelektrode (5) kann eine Dotierung aufweisen.

Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 19 Apr 2016 12:50
Offizielle URL: https://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?action=bibd...
ID-Nummer: DE102013106729A1
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