TU Darmstadt / ULB / TUbiblio

Effect of p-NiO Interlayer on Internal Quantum Efficiency of p-GaN/n-ZnO Light-Emitting Devices

Sirkeli, Vadim P. ; Yilmazoglu, Oktay ; Küppers, Franko ; Hartnagel, Hans L. :
Effect of p-NiO Interlayer on Internal Quantum Efficiency of p-GaN/n-ZnO Light-Emitting Devices.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1166/jno.2014.1687]
In: Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, 9 (6) pp. 811-818.
[Artikel], (2015)

Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1166/jno.2014.1687
Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2015
Autor(en): Sirkeli, Vadim P. ; Yilmazoglu, Oktay ; Küppers, Franko ; Hartnagel, Hans L.
Titel: Effect of p-NiO Interlayer on Internal Quantum Efficiency of p-GaN/n-ZnO Light-Emitting Devices
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics
Band: 9
(Heft-)Nummer: 6
Freie Schlagworte: GALLIUM NITRIDE; INTERNAL QUANTUM EFFICIENCY; LIGHT-EMITTING DIODE; NICKEL OXIDE; ZINC OXIDE
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Höchstfrequenzelektronik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik > Photonik und Optische Nachrichtentechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik
Hinterlegungsdatum: 23 Mär 2016 07:59
Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1166/jno.2014.1687
Export:

Optionen (nur für Redakteure)

Eintrag anzeigen Eintrag anzeigen