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Effect of p-NiO Interlayer on Internal Quantum Efficiency of p-GaN/n-ZnO Light-Emitting Devices

Sirkeli, Vadim P. ; Yilmazoglu, Oktay ; Küppers, Franko ; Hartnagel, Hans L. (2015)
Effect of p-NiO Interlayer on Internal Quantum Efficiency of p-GaN/n-ZnO Light-Emitting Devices.
In: Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, 9 (6)
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2015
Autor(en): Sirkeli, Vadim P. ; Yilmazoglu, Oktay ; Küppers, Franko ; Hartnagel, Hans L.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Effect of p-NiO Interlayer on Internal Quantum Efficiency of p-GaN/n-ZnO Light-Emitting Devices
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: März 2015
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 9
(Heft-)Nummer: 6
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1166/jno.2014.1687
Freie Schlagworte: GALLIUM NITRIDE; INTERNAL QUANTUM EFFICIENCY; LIGHT-EMITTING DIODE; NICKEL OXIDE; ZINC OXIDE
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Höchstfrequenzelektronik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Photonik und Optische Nachrichtentechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP)
Hinterlegungsdatum: 23 Mär 2016 07:59
Letzte Änderung: 13 Dez 2019 11:19
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