Effect of p-NiO Interlayer on Internal Quantum Efficiency of p-GaN/n-ZnO Light-Emitting Devices

Typ des Eintrags:	Artikel
Erschienen:	2015
Autor(en):	Sirkeli, Vadim P. ; Yilmazoglu, Oktay ; Küppers, Franko ; Hartnagel, Hans L.
Titel:	Effect of p-NiO Interlayer on Internal Quantum Efficiency of p-GaN/n-ZnO Light-Emitting Devices
Sprache:	Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe:	Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics
Band:	9
(Heft-)Nummer:	6
Freie Schlagworte:	GALLIUM NITRIDE; INTERNAL QUANTUM EFFICIENCY; LIGHT-EMITTING DIODE; NICKEL OXIDE; ZINC OXIDE
Fachbereich(e)/-gebiet(e):	18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Höchstfrequenzelektronik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik > Photonik und Optische Nachrichtentechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik
Hinterlegungsdatum:	23 Mär 2016 07:59
Offizielle URL:	http://dx.doi.org/10.1166/jno.2014.1687
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