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Effect of p-NiO and n-ZnSe interlayers on the efficiency of p-GaN/n-ZnO light-emitting diode structures

Sirkeli, Vadim P. ; Yilmazoglu, Oktay ; Küppers, Franko ; Hartnagel, Hans L. :
Effect of p-NiO and n-ZnSe interlayers on the efficiency of p-GaN/n-ZnO light-emitting diode structures.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/30/6/065005]
In: Semiconductor Science and Technology, 30 (065005) S. 1-19. ISSN 0268-1242
[Artikel] , (2015)

Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/30/6/065005
Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2015
Autor(en): Sirkeli, Vadim P. ; Yilmazoglu, Oktay ; Küppers, Franko ; Hartnagel, Hans L.
Titel: Effect of p-NiO and n-ZnSe interlayers on the efficiency of p-GaN/n-ZnO light-emitting diode structures
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Semiconductor Science and Technology
Band: 30
(Heft-)Nummer: 065005
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Höchstfrequenzelektronik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik > Photonik und Optische Nachrichtentechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik
Hinterlegungsdatum: 22 Mär 2016 13:54
Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/30/6/065005
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