Schlaf, R. ; Louder, D. ; Lang, O. ; Pettenkofer, C. ; Jaegermann, W. ; Nebesny, K. ; Lee, P. ; Parkinson, B. A. ; Armstrong, N. R. (1995)
Molecular beam epitaxy growth of thin films of SnS2 and SnSe2 on cleaved mica and the basal planes of single-crystal layered semiconductors: Reflection high-energy electron diffraction, low-energy electron diffraction, photoemission, and scanning tunneling microscopy/atomic force microscopy characterization.
In: Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, 13 (3)
doi: 10.1116/1.579766
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 1995 |
| Autor(en): | Schlaf, R. ; Louder, D. ; Lang, O. ; Pettenkofer, C. ; Jaegermann, W. ; Nebesny, K. ; Lee, P. ; Parkinson, B. A. ; Armstrong, N. R. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Molecular beam epitaxy growth of thin films of SnS2 and SnSe2 on cleaved mica and the basal planes of single-crystal layered semiconductors: Reflection high-energy electron diffraction, low-energy electron diffraction, photoemission, and scanning tunneling microscopy/atomic force microscopy characterization |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 1995 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 13 |
| (Heft-)Nummer: | 3 |
| DOI: | 10.1116/1.579766 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung |
| Hinterlegungsdatum: | 27 Apr 2015 07:55 |
| Letzte Änderung: | 27 Apr 2015 07:55 |
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