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Load-modulated GaN power amplifier implementing tunable thick film BST components

Arnous, M. T. ; Wiens, A. ; Preis, S. ; Maune, H. ; Bathich, K. ; Nikfalazar, M. ; Jakoby, R. ; Boeck, G. :
Load-modulated GaN power amplifier implementing tunable thick film BST components.
In: Microwave Conference (EuMC), 2013 European.
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (2013)

Typ des Eintrags: Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Keine Angabe)
Erschienen: 2013
Autor(en): Arnous, M. T. ; Wiens, A. ; Preis, S. ; Maune, H. ; Bathich, K. ; Nikfalazar, M. ; Jakoby, R. ; Boeck, G.
Titel: Load-modulated GaN power amplifier implementing tunable thick film BST components
Sprache: Englisch
Freie Schlagworte: III-V semiconductors;UHF power amplifiers;barium compounds;gallium compounds;high electron mobility transistors;semiconductor device breakdown;strontium compounds;varactors;wide band gap semiconductors;π-structure matching topology;BaSrTiO3;GaN;adaptive broadband power amplifier design;back-off output power operation;barium-strontium-titanate components;breakdown voltage;class C power amplifier;commercial GaN HEMT;dynamic load modulation;frequency 1.8 GHz to 2.2 GHz;impedance tunability;load-modulated GaN power amplifier;optimum load impedance;output matching network;tunable thick film BST components;varactors;Broadband communication;Impedance;Power amplifiers;Power generation;Power measurement;Transistors;Voltage measurement;Adaptive matching;BST;GaN HEMT;broadband;dynamic load;efficiency enhancement;ferroelectrics;load modulation;power amplifer;tunable component
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik > Mikrowellentechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik
Veranstaltungstitel: Microwave Conference (EuMC), 2013 European
Hinterlegungsdatum: 08 Dez 2014 13:06
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