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Solution-processed oxide semiconductor SnO in p-channel thin-film transistors

Okamura, Koshi ; Nasr, Babak ; Brand, Richard A. ; Hahn, Horst (2012)
Solution-processed oxide semiconductor SnO in p-channel thin-film transistors.
In: Journal of Materials Chemistry, 22 (11)
doi: 10.1039/C2JM16426D
Artikel, Bibliographie

Kurzbeschreibung (Abstract)

A p-type inorganic oxide semiconductor, tin monoxide (SnO), is developed by a solution process. SnO thin-film transistors (TFTs) in the p-channel enhancement mode are fabricated by spin-coating a precursor solution followed by postannealing, showing a highest field-effect mobility of 0.13 cm2 V−1 s−1, threshold voltage of −1.9 V, and on/off drain current ratio of 85.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2012
Autor(en): Okamura, Koshi ; Nasr, Babak ; Brand, Richard A. ; Hahn, Horst
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Solution-processed oxide semiconductor SnO in p-channel thin-film transistors
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 2012
Verlag: Royal Society of Chemistry Publishing
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of Materials Chemistry
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 22
(Heft-)Nummer: 11
DOI: 10.1039/C2JM16426D
Kurzbeschreibung (Abstract):

A p-type inorganic oxide semiconductor, tin monoxide (SnO), is developed by a solution process. SnO thin-film transistors (TFTs) in the p-channel enhancement mode are fabricated by spin-coating a precursor solution followed by postannealing, showing a highest field-effect mobility of 0.13 cm2 V−1 s−1, threshold voltage of −1.9 V, and on/off drain current ratio of 85.

Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Gemeinschaftslabor Nanomaterialien
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
Hinterlegungsdatum: 16 Jun 2014 12:05
Letzte Änderung: 16 Jun 2014 12:05
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