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Kristobalitbildung (SiO2) im Herstellungsprozess überlastfester Differenzdrucksensoren

Hildebrandt, Sandra and Kober, Timo and Werthschützky, Roland and Alff, Lambert (2012):
Kristobalitbildung (SiO2) im Herstellungsprozess überlastfester Differenzdrucksensoren.
In: 16. GMA/ITG-Fachtagung Sensoren und Messsysteme 2012, ISSN 978-3-9813484-0-8,
[Online-Edition: http://www.ama-science.org/home/details/811],
[Article]

Abstract

Im Herstellungsprozess überlastfester Differenzdrucksensoren werden Glaswafer durch Wärmebehandlung definiert umgeformt. Dieser Temperaturprozess begünstigt das Kristallwachstum auf der Oberfläche des Glaswafers. Das Kristallwachstum fördert die Bildung von Mikrorissen im Glas. Es werden keine zusätzlichen passivierenden Beschichtungen benötigt, die während der Temperaturbehandlung mit dem Glaswafer chemisch reagieren oder mechanische Spannungen durch Fehlanpassung des Temperaturausdehnungskoeffizienten gegenüber dem Glaswafer erzeugen könnten. Das beschriebene Verfahren ermöglicht dagegen das Umformen von Glaswafern ohne Beeinträchtigung der Qualität der Waferoberfläche. Das Kristallwachstum kann durch eine evakuierte Prozessumgebung während des Temperaturschritts soweit reduziert werden, dass für den beschriebenen Prozesszeitraum von 5 h bei 700 °C durch Röntgendiffraktogramme sowie AFM-Analyse kein Kristobalitwachstum nachgewiesen werden kann. Dies ermöglicht die direkte Weiterbearbeitung der Wafer z.B. für das Waferfügen durch Anodisches Bonden.

Item Type: Article
Erschienen: 2012
Creators: Hildebrandt, Sandra and Kober, Timo and Werthschützky, Roland and Alff, Lambert
Title: Kristobalitbildung (SiO2) im Herstellungsprozess überlastfester Differenzdrucksensoren
Language: German
Abstract:

Im Herstellungsprozess überlastfester Differenzdrucksensoren werden Glaswafer durch Wärmebehandlung definiert umgeformt. Dieser Temperaturprozess begünstigt das Kristallwachstum auf der Oberfläche des Glaswafers. Das Kristallwachstum fördert die Bildung von Mikrorissen im Glas. Es werden keine zusätzlichen passivierenden Beschichtungen benötigt, die während der Temperaturbehandlung mit dem Glaswafer chemisch reagieren oder mechanische Spannungen durch Fehlanpassung des Temperaturausdehnungskoeffizienten gegenüber dem Glaswafer erzeugen könnten. Das beschriebene Verfahren ermöglicht dagegen das Umformen von Glaswafern ohne Beeinträchtigung der Qualität der Waferoberfläche. Das Kristallwachstum kann durch eine evakuierte Prozessumgebung während des Temperaturschritts soweit reduziert werden, dass für den beschriebenen Prozesszeitraum von 5 h bei 700 °C durch Röntgendiffraktogramme sowie AFM-Analyse kein Kristobalitwachstum nachgewiesen werden kann. Dies ermöglicht die direkte Weiterbearbeitung der Wafer z.B. für das Waferfügen durch Anodisches Bonden.

Journal or Publication Title: 16. GMA/ITG-Fachtagung Sensoren und Messsysteme 2012
Divisions: 11 Department of Materials and Earth Sciences > Material Science > Advanced Thin Film Technology
18 Department of Electrical Engineering and Information Technology
11 Department of Materials and Earth Sciences > Material Science
11 Department of Materials and Earth Sciences
Date Deposited: 07 Jan 2014 10:06
Official URL: http://www.ama-science.org/home/details/811
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