In dieser Arbeit wurde die Erhöhung der Ladungsträgerbeweglichkeit von lösungsprozessierten, Metalloxid-basierten Feldeffekttransistoren (FETs) untersucht, die aus metallorganischen Vorstufen hergestellt wurden. Die Herstellung der Bauelemente erfolgte durch das Aufbringen einer Zinkoximat- bzw. einer Indiumoximat- Precursor-Formulierung auf ein vorgefertigtes Substrat. Dieses bestand aus einer hochdotierten Silizium-Gateelektrode und Siliziumdioxid als Gatedielektrikum, worauf schon Source- und Drain-Elektroden aus Gold vorstrukturiert vorlagen. Die zur Herstellung der Zinkoxid (ZnO) oder Indium-Zinkoxid (IZO) Halbleiterschichten genutzten Formulierungen wurden für die Rotationsbeschichtung und den Tintenstrahldruck dadurch optimiert, dass das Lösungsmittel gemäß seiner Hansen-Löslichkeitsparameter so angepasst wurde, dass die bestmögliche Ladungsträgerbeweglichkeit der FETs resultierte. Die Schichtdicke der Metalloxidschichten wurde durch Änderung der Precursor-Konzentrationen in den Formulierungen kontrolliert. Dabei stellte sich heraus, dass die Konzentration ein kritischer Parameter für die Bauteilfunktionalität ist. Bei Erhöhung der Metalloxidschichtdicke zeigte sich, dass die Mobilität der gefertigten FETs zunächst ansteigt, einen Maximalwert erreicht und für dickere Halbleiterschichten wieder sinkt. Dieses nicht erwartete Ergebnis wurde detailliert zunächst mithilfe von bildgebenden Methoden wie der Rastersondenmikroskopie und im Anschluss mithilfe von Röntgenreflexionsmessungen untersucht, um das Elektronendichteprofil der Schicht zu ermitteln. Die Messungen zeigten, dass es in der Schicht morphologische Defekte gibt, die z.T. bis zum Gatedielektrikum reichten, so dass davon ausgegangen werden kann, dass der Ladungstransport beeinträchtigt wird. Um die Performanz der IZO-FETs zu steigern, konnten diese Defekte durch das Aufbringen zusätzlicher Schichten gefüllt werden. Wurden mehrere Schichten aus einer für Einzellagen optimal konzentrierten Precursor-Formulierung aufgetragen, verbessert sich die Performanz des FETs nicht, während das Aufbringen von Multilagen aus gering konzentrierten Precursor-Formulierungen zu Filmen führte, deren Dichte gemäß Röntgenreflexionsdaten nahezu jener von IZO als Volumenmaterial entsprach. Dementzufolge konnten hohe Ladungsträgerbeweglichkeiten von bis zu 20 cm²/Vs erreicht werden. Diese Ergebnisse ermöglichten es, ein konsistentes, qualitatives Modell der Schichtbildung in den untersuchten Metalloxidfilmen zu entwickeln. Das Modell erklärt, wie die Morphologie der Filme sich entwickelt, wenn die Konzentration des Precursors in der anfänglichen Formulierung verändert wird. Während der Untersuchungen stellte sich außerdem heraus, dass die Atmosphäre, in der die Metalloxidschichten hergestellt und die fertigen Bauteile elektrisch charakterisiert wurden, kritisch für die endgültige Leistung des Bauteils war. Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurden die Auswirkungen von Licht, Sauerstoff, elektrischer Belastung und Temperatur auf die elektrische Leistung der FETs untersucht, sowie der Einfluss von Sauerstoff auf die Source- und Drain-Kontakte mithilfe der Kelvinsondenkraftmikroskopie (KPFM). Dabei wurde festgestellt, dass sich Sauerstoff kritisch auf die elektrische Charakteristik der Transistoren auswirkt. Es handelte sich allerdings um einen reversiblen Effekt, der durch Tempern der Bauteile in der geeigneten Atmosphäre – sauerstofffrei (also in der Govebox) für ZnO oder in Luft für IZO - rückgängig gemacht werden konnte.