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Dopant-free CMOS on SOI: Multi-Gate Si-Nanowire Transistors for Logic and Memory Applications

Schwalke, Udo ; Wessely, Frank ; Krauss, Tillmann (2013)
Dopant-free CMOS on SOI: Multi-Gate Si-Nanowire Transistors for Logic and Memory Applications.
In: ECS Transactions, 53 (5)
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2013
Autor(en): Schwalke, Udo ; Wessely, Frank ; Krauss, Tillmann
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Dopant-free CMOS on SOI: Multi-Gate Si-Nanowire Transistors for Logic and Memory Applications
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 16 Mai 2013
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: ECS Transactions
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 53
(Heft-)Nummer: 5
Veranstaltungstitel: 223rd Meeting of the Electrochemical Society
Veranstaltungsort: Toronto, Ontario, Canada
Veranstaltungsdatum: 12.-16.05.2013
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1149/05305.0105ecst
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 21 Mai 2013 11:44
Letzte Änderung: 22 Mai 2013 13:53
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