Wessely, Frank ; Krauss, Tillmann ; Schwalke, Udo (2012)
Virtually Dopant-free CMOS: Midgap Schottky-barrier Nanowire Field-Effect-Transistors for High Temperature Applications.
In: Solid-State Electronics, 74
Artikel, Bibliographie
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2012.04.017
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2012 |
| Autor(en): | Wessely, Frank ; Krauss, Tillmann ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Virtually Dopant-free CMOS: Midgap Schottky-barrier Nanowire Field-Effect-Transistors for High Temperature Applications |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 27 April 2012 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Solid-State Electronics |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 74 |
| URL / URN: | http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2012.04.017 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 17 Apr 2012 07:59 |
| Letzte Änderung: | 22 Mai 2013 13:58 |
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