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Controlled oxygen vacancy induced p-type conductivity in HfO2−x thin films

Hildebrandt, Erwin ; Kurian, Jose ; Müller, Mathis M. ; Schroeder, Thomas ; Kleebe, Hans-Joachim ; Alff, Lambert (2011)
Controlled oxygen vacancy induced p-type conductivity in HfO2−x thin films.
In: Applied Physics Letters, 99 (11)
doi: 10.1063/1.3637603
Artikel, Bibliographie

Kurzbeschreibung (Abstract)

We have synthesized highly oxygen deficient HfO2−x thin films by controlled oxygen engineering using reactive molecular beam epitaxy. Above a threshold value of oxygen vacancies, p-type conductivity sets in with up to 6 times 1021 charge carriers per cm3. At the same time, the band-gap is reduced continuously by more than 1 eV. We suggest an oxygen vacancy induced p-type defect band as origin of the observed behavior.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2011
Autor(en): Hildebrandt, Erwin ; Kurian, Jose ; Müller, Mathis M. ; Schroeder, Thomas ; Kleebe, Hans-Joachim ; Alff, Lambert
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Controlled oxygen vacancy induced p-type conductivity in HfO2−x thin films
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 12 September 2011
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Applied Physics Letters
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 99
(Heft-)Nummer: 11
DOI: 10.1063/1.3637603
Kurzbeschreibung (Abstract):

We have synthesized highly oxygen deficient HfO2−x thin films by controlled oxygen engineering using reactive molecular beam epitaxy. Above a threshold value of oxygen vacancies, p-type conductivity sets in with up to 6 times 1021 charge carriers per cm3. At the same time, the band-gap is reduced continuously by more than 1 eV. We suggest an oxygen vacancy induced p-type defect band as origin of the observed behavior.

Freie Schlagworte: Conduction bands, defect states, electrical conductivity, energy gap, epitaxial layers, hafnium compounds, insulating thin films, molecular beam epitaxial growth, vacancies (crystal)
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Geowissenschaften > Fachgebiet Geomaterialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Dünne Schichten
Hinterlegungsdatum: 30 Mär 2012 10:48
Letzte Änderung: 13 Aug 2021 09:50
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