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In-Situ CCVD Silicon CMOS Compatible Processing of Bilayer Graphene Transistors with Ultra-High On/Off-Current Ratio

Wessely, Pia Juliane ; Wessely, Frank ; Birinci, Emrah ; Schwalke, Udo (2012)
In-Situ CCVD Silicon CMOS Compatible Processing of Bilayer Graphene Transistors with Ultra-High On/Off-Current Ratio.
Spring Meeting & Exhibit 2012 of the Materials Research Society. San Francisco, CA, USA (09.-13.04.2012)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2012
Autor(en): Wessely, Pia Juliane ; Wessely, Frank ; Birinci, Emrah ; Schwalke, Udo
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: In-Situ CCVD Silicon CMOS Compatible Processing of Bilayer Graphene Transistors with Ultra-High On/Off-Current Ratio
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 13 April 2012
Veranstaltungstitel: Spring Meeting & Exhibit 2012 of the Materials Research Society
Veranstaltungsort: San Francisco, CA, USA
Veranstaltungsdatum: 09.-13.04.2012
URL / URN: http://www.mrs.org/s12-program-ee/#tab4
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 17 Apr 2012 06:01
Letzte Änderung: 22 Mai 2013 14:02
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