Wessely, Pia Juliane ; Wessely, Frank ; Birinci, Emrah ; Beckmann, Karsten ; Riedinger, Bernadette ; Schwalke, Udo (2011)
Silicon-CMOS Compatible In-situ CCVD Grown Graphene Transistors with Ultra-high On/Off-Current Ratio.
In: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 44 (7-8)
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2011 |
| Autor(en): | Wessely, Pia Juliane ; Wessely, Frank ; Birinci, Emrah ; Beckmann, Karsten ; Riedinger, Bernadette ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Silicon-CMOS Compatible In-situ CCVD Grown Graphene Transistors with Ultra-high On/Off-Current Ratio |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 23 Dezember 2011 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 44 |
| (Heft-)Nummer: | 7-8 |
| URL / URN: | http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2011.12.022 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 09 Jan 2012 07:38 |
| Letzte Änderung: | 22 Mai 2013 14:00 |
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