Wessely, Frank ; Krauss, Tillmann ; Schwalke, Udo (2011)
CMOS without Doping: Midgap Schottky-Barrier Nanowire Field-Effect-Transistors for High-Temperature Applications.
In: Proceedings of the 41th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2011 |
| Autor(en): | Wessely, Frank ; Krauss, Tillmann ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | CMOS without Doping: Midgap Schottky-Barrier Nanowire Field-Effect-Transistors for High-Temperature Applications |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 16 September 2011 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Proceedings of the 41th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) |
| Veranstaltungstitel: | 41th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) |
| Veranstaltungsort: | Helsinki, Finnland |
| Veranstaltungsdatum: | 12.-16.09.2011 |
| URL / URN: | http://dx.doi.org/10.1109/ESSDERC.2011.6044184 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 28 Sep 2011 06:06 |
| Letzte Änderung: | 22 Mai 2013 13:57 |
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