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Electrical and microstructure analysis of ohmic contacts to p- and n-type GaSb, grown by molecular beam epitaxy

Vogt, Alexander ; Hartnagel, ; Miehe, ; Fuess, ; Schmitz, ; Hartnagel, ; Miehe, ; Fuess, ; Schmitz, :
Electrical and microstructure analysis of ohmic contacts to p- and n-type GaSb, grown by molecular beam epitaxy.
In: Journal of vacuum science and technology. B 14 (1996), S. 3514-3519
[Artikel], (1996)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1996
Autor(en): Vogt, Alexander ; Hartnagel, ; Miehe, ; Fuess, ; Schmitz, ; Hartnagel, ; Miehe, ; Fuess, ; Schmitz,
Titel: Electrical and microstructure analysis of ohmic contacts to p- and n-type GaSb, grown by molecular beam epitaxy
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of vacuum science and technology. B 14 (1996), S. 3514-3519
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:00
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