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Electrical and microstructure analysis of ohmic contacts to p- and n-type GaSb, grown by molecular beam epitaxy

Vogt, Alexander ; Hartnagel, Hans L. ; Miehe, Gerhard ; Fuess, H. ; Schmitz, J. (1996)
Electrical and microstructure analysis of ohmic contacts to p- and n-type GaSb, grown by molecular beam epitaxy.
In: Journal of Vacuum Science and Technology B, 14
doi: 10.1116/1.588790
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1996
Autor(en): Vogt, Alexander ; Hartnagel, Hans L. ; Miehe, Gerhard ; Fuess, H. ; Schmitz, J.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Electrical and microstructure analysis of ohmic contacts to p- and n-type GaSb, grown by molecular beam epitaxy
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 1996
Verlag: AIP Publishing
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of Vacuum Science and Technology B
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 14
DOI: 10.1116/1.588790
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:00
Letzte Änderung: 13 Dez 2023 14:29
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