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Charge carrier injection into insulating media: Single-particle versus mean-field approach

Genenko, Yuri A. ; Yampolskii, Sergey V. ; Melzer, Christian ; Stegmaier, Katja ; Seggern, Heinz von (2010)
Charge carrier injection into insulating media: Single-particle versus mean-field approach.
In: Physical Review B, 81 (12)
doi: 10.1103/PhysRevB.81.125310
Artikel, Bibliographie

Kurzbeschreibung (Abstract)

Self-consistent, mean-field description of charge injection into a dielectric medium is modified to account for discreteness of charge carriers. The improved scheme includes both the Schottky barrier lowering due to the individual image charge and the barrier change due to the field penetration into the injecting electrode that ensures validity of the model at both high and low injection rates including the barrier-dominated and the space-charge-dominated regimes. Comparison of the theory to experiment on a unipolar indium tin oxide-poly(phenylene vinylene)-Au device is presented.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2010
Autor(en): Genenko, Yuri A. ; Yampolskii, Sergey V. ; Melzer, Christian ; Stegmaier, Katja ; Seggern, Heinz von
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Charge carrier injection into insulating media: Single-particle versus mean-field approach
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: März 2010
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Physical Review B
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 81
(Heft-)Nummer: 12
DOI: 10.1103/PhysRevB.81.125310
Kurzbeschreibung (Abstract):

Self-consistent, mean-field description of charge injection into a dielectric medium is modified to account for discreteness of charge carriers. The improved scheme includes both the Schottky barrier lowering due to the individual image charge and the barrier change due to the field penetration into the injecting electrode that ensures validity of the model at both high and low injection rates including the barrier-dominated and the space-charge-dominated regimes. Comparison of the theory to experiment on a unipolar indium tin oxide-poly(phenylene vinylene)-Au device is presented.

Zusätzliche Informationen:

SFB 595 Cooperation C5, D4

Fachbereich(e)/-gebiet(e): DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung > Teilprojekt C5: Phänomenologische Modellierung von Injektion, Transport und Rekombination in Bauelementen aus organischen Halbleitern sowie aus nichtorganischen Ferroelektrika
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften > Teilprojekt D4: Betriebsbedingte Ermüdung von Bauelementen aus organischen Halbleitern
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung
Zentrale Einrichtungen
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio)
Hinterlegungsdatum: 17 Aug 2011 11:42
Letzte Änderung: 05 Mär 2013 09:52
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