Schidleja, Martin ; Melzer, Christian ; Roth, Michael ; Schwalm, Thorsten ; Gawrisch, Christian ; Rehahn, Matthias ; Seggern, Heinz von (2009)
The impact of contact formation on the light emission from ambipolar transistors.
In: Applied Physics Letters, 95 (11)
doi: 10.1063/1.3222976
Artikel, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
In this letter the effect of the charge carrier injection on the performance of ambipolar light-emitting organic field-effect transistors will be investigated. For the analysis, the light output and spatial information of the recombination zone from different devices will be compared. The three investigated devices provide either Ohmic contacts for one or both charge carrier types or hindered injection for both. It will be demonstrated that the light emission in the different operation regimes of the transistor can be used to characterize the contact properties at source and drain.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2009 |
| Autor(en): | Schidleja, Martin ; Melzer, Christian ; Roth, Michael ; Schwalm, Thorsten ; Gawrisch, Christian ; Rehahn, Matthias ; Seggern, Heinz von |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | The impact of contact formation on the light emission from ambipolar transistors |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | September 2009 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Applied Physics Letters |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 95 |
| (Heft-)Nummer: | 11 |
| DOI: | 10.1063/1.3222976 |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | In this letter the effect of the charge carrier injection on the performance of ambipolar light-emitting organic field-effect transistors will be investigated. For the analysis, the light output and spatial information of the recombination zone from different devices will be compared. The three investigated devices provide either Ohmic contacts for one or both charge carrier types or hindered injection for both. It will be demonstrated that the light emission in the different operation regimes of the transistor can be used to characterize the contact properties at source and drain. |
| Freie Schlagworte: | bipolar transistors, organic field effect transistors, polymers |
| Zusätzliche Informationen: | SFB 595 Cooperation A5, D4 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche Zentrale Einrichtungen DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > A - Synthese DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > A - Synthese > Teilprojekt A5: Synthese halbleitender Modellpolymere und deren Charakterisierung vor und nach zyklischer elektrischer Ermüdung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften > Teilprojekt D4: Betriebsbedingte Ermüdung von Bauelementen aus organischen Halbleitern |
| Hinterlegungsdatum: | 04 Aug 2011 12:54 |
| Letzte Änderung: | 13 Aug 2021 14:08 |
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