Endres, Ralf ; Krauss, Tillmann ; Wessely, Frank ; Schwalke, Udo (2011)
Damascene TiN-Gd2O3-Gate Stacks: Gentle Fabrication and Electrical Properties.
In: Microelectronic Engineering, 88 (12)
Artikel, Bibliographie
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2010.05.013
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2011 |
| Autor(en): | Endres, Ralf ; Krauss, Tillmann ; Wessely, Frank ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Damascene TiN-Gd2O3-Gate Stacks: Gentle Fabrication and Electrical Properties |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | Dezember 2011 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Microelectronic Engineering |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 88 |
| (Heft-)Nummer: | 12 |
| Veranstaltungstitel: | 6th International Symposium on Advanced Gate Stack Technology (ISAGST) |
| Veranstaltungsort: | San Francisco, CA, USA |
| Veranstaltungsdatum: | 23.-26.08.2009 |
| URL / URN: | http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2010.05.013 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 28 Jun 2011 14:32 |
| Letzte Änderung: | 22 Mai 2013 14:10 |
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