Klös, Alexander (1996)
A physics based, analytical model for the threshold voltage in MOSFET's using a unified approach to account for short- and narrow-channel effects.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Konferenzveröffentlichung |
|---|---|
| Erschienen: | 1996 |
| Autor(en): | Klös, Alexander |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | A physics based, analytical model for the threshold voltage in MOSFET's using a unified approach to account for short- and narrow-channel effects |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 1996 |
| Reihe: | International Electron Devices Meeting <1996, Hsinchu, Taiwan>: Proceedings. S. 285-288 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik |
| Hinterlegungsdatum: | 19 Nov 2008 16:00 |
| Letzte Änderung: | 05 Mär 2013 08:35 |
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