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A physics based, analytical model for the threshold voltage in MOSFET's using a unified approach to account for short- and narrow-channel effects

Klös, Alexander :
A physics based, analytical model for the threshold voltage in MOSFET's using a unified approach to account for short- and narrow-channel effects.
In: International Electron Devices Meeting <1996, Hsinchu, Taiwan>: Proceedings. S. 285-288 .
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (1996)

Typ des Eintrags: Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Keine Angabe)
Erschienen: 1996
Autor(en): Klös, Alexander
Titel: A physics based, analytical model for the threshold voltage in MOSFET's using a unified approach to account for short- and narrow-channel effects
Sprache: Englisch
Reihe: International Electron Devices Meeting <1996, Hsinchu, Taiwan>: Proceedings. S. 285-288
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:00
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