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Electron irradiation induced defect structure in III-V semiconductors studied by positron lifetime spectroscopy

Liszkay, L. ; Bottyan, L. ; Balogh, Adam G. :
Electron irradiation induced defect structure in III-V semiconductors studied by positron lifetime spectroscopy.
In: Crystal Properties & Preparation, 12 p. 199.
[Artikel], (1987)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1987
Autor(en): Liszkay, L. ; Bottyan, L. ; Balogh, Adam G.
Titel: Electron irradiation induced defect structure in III-V semiconductors studied by positron lifetime spectroscopy
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Crystal Properties & Preparation
Band: 12
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaften > Materialanalytik
Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaften
Fachbereich Material- und Geowissenschaften
Hinterlegungsdatum: 08 Jun 2011 16:38
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