Siepchen, Bastian (2011)
Modelluntersuchungen an Heterogrenzflächen von II-VI-Halbleitern.
Technische Universität Darmstadt
Dissertation, Erstveröffentlichung
Kurzbeschreibung (Abstract)
In dieser Arbeit wurden Untersuchungen zum Wachstum und der Grenzflächenbildung der beiden II-VI Verbindungshalbleiter CdS und CdTe durchgeführt. Im Mittelpunkt stand die Ermittlung des Einflusses der Substratorientierung, weshalb Schichten auf definierten Oberflächen von Einkristallen präpariert wurden. Als Substrate wurden CdS-Kristalle mit den Orientierungen (0001) und (1010) sowie CdTe-Kristalle mit den Orientierungen (111) und (110) verwendet, auf denen das jeweils andere Material durch thermisches Sublimieren im Ultrahochvakuum abgeschieden wurde. Charakterisiert wurden die Oberflächen bzw. Schichten mittels hochauflösender Röntgenphotoelektronenspektroskopie (XPS) am Synchrotron BESSY II (Berlin), Beugung niederenergetischer Elektronen (LEED) sowie der Rasterkraftmikroskopie (AFM). Die Untersuchungen ergaben, dass bei allen Substratorientierungen eine starke Wechselwirkung zwischen Schicht und Substrat existiert, die zu einem epitaktisch orientierten Wachstum führt, d.h. die Schichten wachsen in einer zum Substrat passenden Kristallrichtung. Dabei wurden jedoch deutliche Unterschiede im Bezug auf die Wachstumsraten und die Nukleation beobachtet. Unabhängig davon wurde für alle Grenzflächen eine konstante Bandanpassung von 1,03eV festgestellt.
| Typ des Eintrags: | Dissertation | ||||
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| Erschienen: | 2011 | ||||
| Autor(en): | Siepchen, Bastian | ||||
| Art des Eintrags: | Erstveröffentlichung | ||||
| Titel: | Modelluntersuchungen an Heterogrenzflächen von II-VI-Halbleitern | ||||
| Sprache: | Deutsch | ||||
| Referenten: | Jaegermann, Prof. Dr. Wolfram ; Ensinger, Prof. Dr. Wolfgang | ||||
| Publikationsjahr: | 15 Mai 2011 | ||||
| Datum der mündlichen Prüfung: | 1 April 2011 | ||||
| URL / URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-25420 | ||||
| Kurzbeschreibung (Abstract): | In dieser Arbeit wurden Untersuchungen zum Wachstum und der Grenzflächenbildung der beiden II-VI Verbindungshalbleiter CdS und CdTe durchgeführt. Im Mittelpunkt stand die Ermittlung des Einflusses der Substratorientierung, weshalb Schichten auf definierten Oberflächen von Einkristallen präpariert wurden. Als Substrate wurden CdS-Kristalle mit den Orientierungen (0001) und (1010) sowie CdTe-Kristalle mit den Orientierungen (111) und (110) verwendet, auf denen das jeweils andere Material durch thermisches Sublimieren im Ultrahochvakuum abgeschieden wurde. Charakterisiert wurden die Oberflächen bzw. Schichten mittels hochauflösender Röntgenphotoelektronenspektroskopie (XPS) am Synchrotron BESSY II (Berlin), Beugung niederenergetischer Elektronen (LEED) sowie der Rasterkraftmikroskopie (AFM). Die Untersuchungen ergaben, dass bei allen Substratorientierungen eine starke Wechselwirkung zwischen Schicht und Substrat existiert, die zu einem epitaktisch orientierten Wachstum führt, d.h. die Schichten wachsen in einer zum Substrat passenden Kristallrichtung. Dabei wurden jedoch deutliche Unterschiede im Bezug auf die Wachstumsraten und die Nukleation beobachtet. Unabhängig davon wurde für alle Grenzflächen eine konstante Bandanpassung von 1,03eV festgestellt. |
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| Alternatives oder übersetztes Abstract: |
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| Freie Schlagworte: | CdTe, Solarzelle, Grenzfläche, Wachstum, Epitaxie, XPS | ||||
| Schlagworte: |
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| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie |
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| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften |
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| Hinterlegungsdatum: | 31 Mai 2011 09:24 | ||||
| Letzte Änderung: | 05 Mär 2013 09:48 | ||||
| PPN: | |||||
| Referenten: | Jaegermann, Prof. Dr. Wolfram ; Ensinger, Prof. Dr. Wolfgang | ||||
| Datum der mündlichen Prüfung / Verteidigung / mdl. Prüfung: | 1 April 2011 | ||||
| Schlagworte: |
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