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Einfluss der Dotierung organischer Halbleiter auf den Feldeffekt

Ahles, Marcus (2006):
Einfluss der Dotierung organischer Halbleiter auf den Feldeffekt.
Darmstadt, Technische Universität, TU Darmstadt,
[Ph.D. Thesis]

Abstract

Gegenstand dieser Arbeit ist die Realisierung einer integrierten komplementären Schaltung auf Basis des organischen Halbleiters Pentacen. Hierzu werden organische Feldeffekttransistoren (OFETs) als elementare Schaltelemente zum Einsatz gebracht, wobei sowohl OFETs, die im Elektronenakkumulationsmodus, als auch OFETs, die im Löcherakkumulationsmodus arbeiten, benötigt werden. Für die Integration einer derartigen Schaltung sind vergleichbare Transporteigenschaften von Elektronen und Löchern innerhalb eines Halbleitermaterials von entscheidendem Vorteil. Um diese Zielsetzung zu erreichen, ist es notwendig, ein grundlegendes Verständnis des Feldeffekts in organischen Halbleitern zu erhalten und auf prinzipielle Unterschiede zwischen organischen und anorganischen Halbleitern einzugehen. Insbesondere wird in diesem Zusammenhang der Einfluss der Dotierung von organischen Halbleitern auf die elektrischen Eigenschaften von OFETs studiert.

Item Type: Ph.D. Thesis
Erschienen: 2006
Creators: Ahles, Marcus
Title: Einfluss der Dotierung organischer Halbleiter auf den Feldeffekt
Language: German
Abstract:

Gegenstand dieser Arbeit ist die Realisierung einer integrierten komplementären Schaltung auf Basis des organischen Halbleiters Pentacen. Hierzu werden organische Feldeffekttransistoren (OFETs) als elementare Schaltelemente zum Einsatz gebracht, wobei sowohl OFETs, die im Elektronenakkumulationsmodus, als auch OFETs, die im Löcherakkumulationsmodus arbeiten, benötigt werden. Für die Integration einer derartigen Schaltung sind vergleichbare Transporteigenschaften von Elektronen und Löchern innerhalb eines Halbleitermaterials von entscheidendem Vorteil. Um diese Zielsetzung zu erreichen, ist es notwendig, ein grundlegendes Verständnis des Feldeffekts in organischen Halbleitern zu erhalten und auf prinzipielle Unterschiede zwischen organischen und anorganischen Halbleitern einzugehen. Insbesondere wird in diesem Zusammenhang der Einfluss der Dotierung von organischen Halbleitern auf die elektrischen Eigenschaften von OFETs studiert.

Place of Publication: Darmstadt
Publisher: Technische Universität
Divisions: 11 Department of Materials and Earth Sciences
Date Deposited: 17 Oct 2008 09:22
Official URL: urn:nbn:de:tuda-tuprints-6603
License: only the rights of use according to UrhG
Referees: von Seggern, Prof. Dr.- Heinz and Rehahn, Prof. Dr. Matthias
Refereed / Verteidigung / mdl. Prüfung: 26 January 2006
Alternative Abstract:
Alternative abstract Language
In this work the realization of an integrated complementary circuit based on pentacene as organic semiconductor is presented. Therefore organic field-effect transistors (OFETs) as basic constituents are employed. Both OFETs working in electron enhancement mode and OFETs working in hole enhancement mode are required. For integration of such a complementary circuit similar transport properties of electrons and holes in one organic semi-conducting material are advantageous. To achieve this aim an understanding of the underlying field-effect is required and fundamental differences between organic and inorganic semiconductors have to be taken in account. In this context the influence of doping of the organic semiconductor on the electrical properties of OFETs will be studied in particular.English
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