Kerber, Andreas (2004)
Methodology for Electrical Characterization of MOS Devices with Alternative Gate Dielectrics.
Technische Universität Darmstadt
Dissertation, Erstveröffentlichung
Kurzbeschreibung (Abstract)
Aggressive scaling of Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) devices is driving SiO2 based gate dielectrics to its physical limits. Currently several alternative dielectric materials are being studied extensively as replacement for SiO2. This work mainly discusses charge trapping and the dielectric reliability of SiO2 / Al2O3 and SiO2 / HfO2 dual layer gate dielectrics. Due to the presence of transient charging / discharging effects measurement techniques down to the µs time range are being introduced.
| Typ des Eintrags: |
Dissertation
|
| Erschienen: |
2004 |
| Autor(en): |
Kerber, Andreas |
| Art des Eintrags: |
Erstveröffentlichung |
| Titel: |
Methodology for Electrical Characterization of MOS Devices with Alternative Gate Dielectrics |
| Sprache: |
Englisch |
| Referenten: |
Schwalke, Prof. Dr. Udo ; Maes, Prof. Dr. Herman |
| Berater: |
Schwalke, Prof. Dr. Udo |
| Publikationsjahr: |
19 Februar 2004 |
| Ort: |
Darmstadt, Deutschland |
| Verlag: |
Darmstädter Dissertationen |
|
Datum der mündlichen Prüfung: |
19 Januar 2004 |
| URL / URN: |
urn:nbn:de:tuda-tuprints-4044 |
| Kurzbeschreibung (Abstract): |
Aggressive scaling of Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) devices is driving SiO2 based gate dielectrics to its physical limits. Currently several alternative dielectric materials are being studied extensively as replacement for SiO2. This work mainly discusses charge trapping and the dielectric reliability of SiO2 / Al2O3 and SiO2 / HfO2 dual layer gate dielectrics. Due to the presence of transient charging / discharging effects measurement techniques down to the µs time range are being introduced. |
|
Alternatives oder übersetztes Abstract: |
|
Alternatives Abstract | Sprache |
|---|
Aufgrund der raschen Miniaturisierung von komplementären Metall Oxyd Halbleiter (CMOS) Schaltkreisen werden die physikalischen Grenzen von Dielektrika auf SiO2 Basis in naher Zukunft erreicht. Verschiedene alternative dielektrische Materialien werden derzeit intensiv als Ersatz für SiO2 untersucht. In dieser Arbeit werden vorwiegend der Ladungseinfang und die Zuverlässigkeit von SiO2 / Al2O3 and SiO2 / HfO2 Schichten diskutiert. Aufgrund transienter Lade / Entladevorgänge werden schnelle Messverfahren im µs Bereich vorgestellt. | Deutsch |
|
| Freie Schlagworte: |
Zuverlässigkeit, Ladungseinfang, Beweglichkeit, Defektgeneration, Alternative Dielektrika, Al2O3, HfO2 |
| Schlagworte: |
| Einzelne Schlagworte | Sprache |
|---|
| reliability, charge trapping, mobility, defect generation, alternative dielectrics, Al2O3, HfO2 | Englisch |
|
| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): |
600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): |
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: |
17 Okt 2008 09:21 |
| Letzte Änderung: |
05 Mär 2013 09:26 |
| PPN: |
|
| Referenten: |
Schwalke, Prof. Dr. Udo ; Maes, Prof. Dr. Herman |
|
Datum der mündlichen Prüfung / Verteidigung / mdl. Prüfung: |
19 Januar 2004 |
| Schlagworte: |
| Einzelne Schlagworte | Sprache |
|---|
| reliability, charge trapping, mobility, defect generation, alternative dielectrics, Al2O3, HfO2 | Englisch |
|
| Export: |
|
| Suche nach Titel in: |
TUfind oder in Google |
 |
Frage zum Eintrag |
Optionen (nur für Redakteure)
 |
Redaktionelle Details anzeigen |
Drucken
Impressum