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A fully 2D, analytical model for the geometry and voltage dependence of treshold voltage in submicron MOSFETs

Klös, Alexander ; Kostka, :
A fully 2D, analytical model for the geometry and voltage dependence of treshold voltage in submicron MOSFETs.
In: Simulation of semiconductor devices and processes. Vol. 6. Hrsg.: H. Ryssel (u.a.) S. 218-221. Springer, Berlin, Heidelberg (u.a.)
[Buchkapitel], (1995)

Typ des Eintrags: Buchkapitel
Erschienen: 1995
Autor(en): Klös, Alexander ; Kostka,
Titel: A fully 2D, analytical model for the geometry and voltage dependence of treshold voltage in submicron MOSFETs
Sprache: Englisch
Buchtitel: Simulation of semiconductor devices and processes. Vol. 6. Hrsg.: H. Ryssel (u.a.) S. 218-221
Ort: Berlin, Heidelberg (u.a.)
Verlag: Springer
Edition: Berlin, Heidelberg (u.a.): Springer, 1995
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:58
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