| Typ des Eintrags: |
Buchkapitel
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| Erschienen: |
1995 |
| Autor(en): |
Klös, Alexander ; Kostka, |
| Art des Eintrags: |
Bibliographie |
| Titel: |
A fully 2D, analytical model for the geometry and voltage dependence of treshold voltage in submicron MOSFETs |
| Sprache: |
Englisch |
| Publikationsjahr: |
1995 |
| Ort: |
Berlin, Heidelberg (u.a.) |
| Verlag: |
Springer |
| Buchtitel: |
Simulation of semiconductor devices and processes. Vol. 6. |
| Auflage: |
Berlin, Heidelberg (u.a.): Springer, 1995 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): |
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik |
| Hinterlegungsdatum: |
19 Nov 2008 15:58 |
| Letzte Änderung: |
05 Mär 2013 08:33 |
| PPN: |
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| Export: |
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