Hartnagel, Hans L. (1995)
III-V semiconductor properties for high temperature electronics.
In: Materials Science and Engineering: B, 29 (1-3)
doi: 10.1016/0921-5107(94)04028-3
Artikel, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
A reliabily operating electronic circuitry for environmental temperatures up to 500 °C requires a satisfactorily wide energy gap, a good material stability and a suitable technology. These three points are reviewed regarding III–V semiconductors. Experimental results with AlxGa1−xAs are reviewed, which are usually monolithically associated with various types of sensors.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 1995 |
| Autor(en): | Hartnagel, Hans L. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | III-V semiconductor properties for high temperature electronics |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 1995 |
| Verlag: | Elsevier |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Materials Science and Engineering: B |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 29 |
| (Heft-)Nummer: | 1-3 |
| DOI: | 10.1016/0921-5107(94)04028-3 |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | A reliabily operating electronic circuitry for environmental temperatures up to 500 °C requires a satisfactorily wide energy gap, a good material stability and a suitable technology. These three points are reviewed regarding III–V semiconductors. Experimental results with AlxGa1−xAs are reviewed, which are usually monolithically associated with various types of sensors. |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) |
| Hinterlegungsdatum: | 19 Nov 2008 15:58 |
| Letzte Änderung: | 03 Mai 2023 10:11 |
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