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Abscheidung Phosphor-dotierter SiO2-Schichten zur Passivierung von optoelektronisch-integrierten Empfängern

Riemenschneider, Rolf (1996)
Abscheidung Phosphor-dotierter SiO2-Schichten zur Passivierung von optoelektronisch-integrierten Empfängern.
Technische Universität Darmstadt
Dissertation, Bibliographie

Typ des Eintrags: Dissertation
Erschienen: 1996
Autor(en): Riemenschneider, Rolf
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Abscheidung Phosphor-dotierter SiO2-Schichten zur Passivierung von optoelektronisch-integrierten Empfängern
Sprache: Deutsch
Publikationsjahr: 1996
Ort: Düsseldorf
Verlag: VDI-Verl
Band einer Reihe: 241
Kollation: VII, 185 S
Auflage: Düsseldorf: VDI-Verl., 1996. VII, 185 S.
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:58
Letzte Änderung: 05 Mär 2013 08:33
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