Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo
:
Electrical Characterization of Crystalline Gd2O3 Gate Dielectric MOSFETs Fabricated by Damascene Metal Gate Technology.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2007.01.018]
In:
Microelectronics Reliability, 47
(4-5)
pp. 528-531.
[Artikel], (2007)
Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2007.01.018
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2007 |
| Autor(en): | Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo |
| Titel: | Electrical Characterization of Crystalline Gd2O3 Gate Dielectric MOSFETs Fabricated by Damascene Metal Gate Technology |
| Sprache: | Englisch |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Microelectronics Reliability |
| Band: | 47 |
| (Heft-)Nummer: | 4-5 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Veranstaltungstitel: | 14th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WoDiM) |
| Veranstaltungsort: | Santa Tecla, Italien |
| Veranstaltungsdatum: | 26.-28.06.2006 |
| Hinterlegungsdatum: | 20 Nov 2008 08:28 |
| Offizielle URL: | http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2007.01.018 |
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