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Electrical Characterization of Crystalline Gd2O3 Gate Dielectric MOSFETs Fabricated by Damascene Metal Gate Technology

Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo :
Electrical Characterization of Crystalline Gd2O3 Gate Dielectric MOSFETs Fabricated by Damascene Metal Gate Technology.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2007.01.018]
In: Microelectronics Reliability, 47 (4-5) pp. 528-531.
[Artikel], (2007)

Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2007.01.018
Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2007
Autor(en): Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo
Titel: Electrical Characterization of Crystalline Gd2O3 Gate Dielectric MOSFETs Fabricated by Damascene Metal Gate Technology
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Microelectronics Reliability
Band: 47
(Heft-)Nummer: 4-5
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Veranstaltungstitel: 14th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WoDiM)
Veranstaltungsort: Santa Tecla, Italien
Veranstaltungsdatum: 26.-28.06.2006
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:28
Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2007.01.018
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