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High resolution electron microscopy study of molecular beam epitaxy grown CoSi2/Si1-xGex/Si(100) heterostructures

Buschmann, Veronique ; Rodewald, M. ; Fuess, H. ; van Tendeloo, G. ; Schäffer, C. :
High resolution electron microscopy study of molecular beam epitaxy grown CoSi2/Si1-xGex/Si(100) heterostructures.
In: Journal of applied physics, 85 pp. 2119-2123.
[Artikel], (1999)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1999
Autor(en): Buschmann, Veronique ; Rodewald, M. ; Fuess, H. ; van Tendeloo, G. ; Schäffer, C.
Titel: High resolution electron microscopy study of molecular beam epitaxy grown CoSi2/Si1-xGex/Si(100) heterostructures
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of applied physics
Band: 85
Fachbereich(e)/-gebiet(e): FB Materialwissenschaft (aufgegangen in FB11)
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:54
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