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High resolution electron microscopy study of molecular beam epitaxy grown CoSi2/Si1-xGex/Si(100) heterostructures

Buschmann, Veronique ; Rodewald, M. ; Fuess, H. ; van Tendeloo, G. ; Schäffer, C. (1999)
High resolution electron microscopy study of molecular beam epitaxy grown CoSi2/Si1-xGex/Si(100) heterostructures.
In: Journal of applied physics, 85
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1999
Autor(en): Buschmann, Veronique ; Rodewald, M. ; Fuess, H. ; van Tendeloo, G. ; Schäffer, C.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: High resolution electron microscopy study of molecular beam epitaxy grown CoSi2/Si1-xGex/Si(100) heterostructures
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 1999
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of applied physics
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 85
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Fachbereich Materialwissenschaft (1999 aufgegangen in 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften)
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:54
Letzte Änderung: 02 Mär 2022 14:21
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