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Band line-up of layered semiconductor heterointerfaces prepared by van der Waals epitaxy: Quantum dipole correction term of the electron affinity rule

Schlaf, R. ; Lang, O. ; Pettenkofer, C. ; Jaegermann, W. :
Band line-up of layered semiconductor heterointerfaces prepared by van der Waals epitaxy: Quantum dipole correction term of the electron affinity rule.
In: Journal of Applied Physics, 85 (5) pp. 2732-2753. ISSN 00218979
[Artikel], (1999)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1999
Autor(en): Schlaf, R. ; Lang, O. ; Pettenkofer, C. ; Jaegermann, W.
Titel: Band line-up of layered semiconductor heterointerfaces prepared by van der Waals epitaxy: Quantum dipole correction term of the electron affinity rule
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of Applied Physics
Band: 85
(Heft-)Nummer: 5
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Material- und Geowissenschaften
Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaften
Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaften > Oberflächenforschung / Surface Science
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:54
ID-Nummer: 10.1063/1.369590
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