Schlaf, R. ; Lang, O. ; Pettenkofer, C. ; Jaegermann, W. (1999)
Band line-up of layered semiconductor heterointerfaces prepared by van der Waals epitaxy: Quantum dipole correction term of the electron affinity rule.
In: Journal of Applied Physics, 85 (5)
doi: 10.1063/1.369590
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 1999 |
| Autor(en): | Schlaf, R. ; Lang, O. ; Pettenkofer, C. ; Jaegermann, W. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Band line-up of layered semiconductor heterointerfaces prepared by van der Waals epitaxy: Quantum dipole correction term of the electron affinity rule |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 1 März 1999 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Applied Physics |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 85 |
| (Heft-)Nummer: | 5 |
| DOI: | 10.1063/1.369590 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung |
| Hinterlegungsdatum: | 19 Nov 2008 15:54 |
| Letzte Änderung: | 20 Feb 2020 13:28 |
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