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The Formation and Characterisation of Lanthanum Oxide Based Si/High-k/NiSi Gate Stacks by Electron-Beam Evaporation: An Examination of In-Situ Amorphous Silicon Capping and NiSi Formation

Hurley, P. K. ; Pijolat, M. ; Cherkaoui, K. ; O'Connor, E. ; O'Connell, D. ; Negara, M. A. ; Lemme, M. C. ; Gottlob, D. B. ; Schmidt, M. ; Stegmaier, K. ; Schwalke, Udo ; Hall, S. ; Buiu, O. ; Engstrom, O. ; Newcomb, S. B. :
The Formation and Characterisation of Lanthanum Oxide Based Si/High-k/NiSi Gate Stacks by Electron-Beam Evaporation: An Examination of In-Situ Amorphous Silicon Capping and NiSi Formation.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1149/1.2779556]
In: ECS Transactions, 11 (4) pp. 145-156.
[Artikel], (2007)

Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1149/1.2779556
Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2007
Autor(en): Hurley, P. K. ; Pijolat, M. ; Cherkaoui, K. ; O'Connor, E. ; O'Connell, D. ; Negara, M. A. ; Lemme, M. C. ; Gottlob, D. B. ; Schmidt, M. ; Stegmaier, K. ; Schwalke, Udo ; Hall, S. ; Buiu, O. ; Engstrom, O. ; Newcomb, S. B.
Titel: The Formation and Characterisation of Lanthanum Oxide Based Si/High-k/NiSi Gate Stacks by Electron-Beam Evaporation: An Examination of In-Situ Amorphous Silicon Capping and NiSi Formation
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: ECS Transactions
Band: 11
(Heft-)Nummer: 4
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:27
Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1149/1.2779556
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