Hurley, P. K. ; Pijolat, M. ; Cherkaoui, K. ; O'Connor, E. ; O'Connell, D. ; Negara, M. A. ; Lemme, M. C. ; Gottlob, D. B. ; Schmidt, M. ; Stegmaier, K. ; Schwalke, Udo ; Hall, S. ; Buiu, O. ; Engstrom, O. ; Newcomb, S. B. (2007)
The Formation and Characterisation of Lanthanum Oxide Based Si/High-k/NiSi Gate Stacks by Electron-Beam Evaporation: An Examination of In-Situ Amorphous Silicon Capping and NiSi Formation.
In: ECS Transactions, 11 (4)
Artikel, Bibliographie
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1149/1.2779556
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2007 |
| Autor(en): | Hurley, P. K. ; Pijolat, M. ; Cherkaoui, K. ; O'Connor, E. ; O'Connell, D. ; Negara, M. A. ; Lemme, M. C. ; Gottlob, D. B. ; Schmidt, M. ; Stegmaier, K. ; Schwalke, Udo ; Hall, S. ; Buiu, O. ; Engstrom, O. ; Newcomb, S. B. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | The Formation and Characterisation of Lanthanum Oxide Based Si/High-k/NiSi Gate Stacks by Electron-Beam Evaporation: An Examination of In-Situ Amorphous Silicon Capping and NiSi Formation |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 12 Oktober 2007 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | ECS Transactions |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 11 |
| (Heft-)Nummer: | 4 |
| URL / URN: | http://dx.doi.org/10.1149/1.2779556 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 20 Nov 2008 08:27 |
| Letzte Änderung: | 20 Feb 2020 13:23 |
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