Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo (2006)
Epitaxial High-K Oxide Metal Gate MOSFETs: Damascene CMP Process Integration and Electrical Results.
In: Japanese Journal of Applied Physics
Artikel, Bibliographie
Typ des Eintrags: | Artikel |
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Erschienen: | 2006 |
Autor(en): | Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo |
Art des Eintrags: | Bibliographie |
Titel: | Epitaxial High-K Oxide Metal Gate MOSFETs: Damascene CMP Process Integration and Electrical Results |
Sprache: | Englisch |
Publikationsjahr: | 15 September 2006 |
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Japanese Journal of Applied Physics |
Veranstaltungstitel: | 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) |
Veranstaltungsort: | Yokohama, Japan |
Veranstaltungsdatum: | 13.-15.09.2006 |
Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
Hinterlegungsdatum: | 20 Nov 2008 08:26 |
Letzte Änderung: | 20 Feb 2020 13:23 |
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