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Epitaxial High-K Oxide Metal Gate MOSFETs: Damascene CMP Process Integration and Electrical Results

Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo (2006)
Epitaxial High-K Oxide Metal Gate MOSFETs: Damascene CMP Process Integration and Electrical Results.
In: Japanese Journal of Applied Physics
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2006
Autor(en): Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Epitaxial High-K Oxide Metal Gate MOSFETs: Damascene CMP Process Integration and Electrical Results
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 15 September 2006
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Japanese Journal of Applied Physics
Veranstaltungstitel: 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
Veranstaltungsort: Yokohama, Japan
Veranstaltungsdatum: 13.-15.09.2006
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:26
Letzte Änderung: 20 Feb 2020 13:23
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