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Epitaxial High-K Oxide Metal Gate MOSFETs: Damascene CMP Process Integration and Electrical Results

Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo :
Epitaxial High-K Oxide Metal Gate MOSFETs: Damascene CMP Process Integration and Electrical Results.
In: Japanese Journal of Applied Physics
[Artikel], (2006)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2006
Autor(en): Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo
Titel: Epitaxial High-K Oxide Metal Gate MOSFETs: Damascene CMP Process Integration and Electrical Results
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Japanese Journal of Applied Physics
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Veranstaltungstitel: 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
Veranstaltungsort: Yokohama, Japan
Veranstaltungsdatum: 13.-15.09.2006
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:26
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