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Comparison of Praseodymium Oxide Gate MOSFETs with Conventional SiO2 MOSFETs: A Simulation Study

Komaragiri, Rama Subrahmanyam ; Schwalke, Udo ; Stefanov, Yordan ; Ruland, Tino :
Comparison of Praseodymium Oxide Gate MOSFETs with Conventional SiO2 MOSFETs: A Simulation Study.
In: Proceedings of the International Workshop on Physics of Semiconductor Devices (IWPSD)
[Artikel], (2003)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2003
Autor(en): Komaragiri, Rama Subrahmanyam ; Schwalke, Udo ; Stefanov, Yordan ; Ruland, Tino
Titel: Comparison of Praseodymium Oxide Gate MOSFETs with Conventional SiO2 MOSFETs: A Simulation Study
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Proceedings of the International Workshop on Physics of Semiconductor Devices (IWPSD)
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Veranstaltungstitel: International Workshop on Physics of Semiconductor Devices (IWPSD)
Veranstaltungsort: Madras, Indien
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:24
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