Komaragiri, Rama Subrahmanyam ; Schwalke, Udo ; Stefanov, Yordan ; Ruland, Tino
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Comparison of Praseodymium Oxide Gate MOSFETs with Conventional SiO2 MOSFETs: A Simulation Study.
In:
Proceedings of the International Workshop on Physics of Semiconductor Devices (IWPSD)
[Artikel], (2003)
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2003 |
| Autor(en): | Komaragiri, Rama Subrahmanyam ; Schwalke, Udo ; Stefanov, Yordan ; Ruland, Tino |
| Titel: | Comparison of Praseodymium Oxide Gate MOSFETs with Conventional SiO2 MOSFETs: A Simulation Study |
| Sprache: | Englisch |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Proceedings of the International Workshop on Physics of Semiconductor Devices (IWPSD) |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Veranstaltungstitel: | International Workshop on Physics of Semiconductor Devices (IWPSD) |
| Veranstaltungsort: | Madras, Indien |
| Hinterlegungsdatum: | 20 Nov 2008 08:24 |
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