TU Darmstadt / ULB / TUbiblio

Investigation of the impact of Al mole-fraction on the consequences of RF stress on AlxGa1-xN/GaN MODFETs

Valizadeh, P. ; Pavlidis, D. :
Investigation of the impact of Al mole-fraction on the consequences of RF stress on AlxGa1-xN/GaN MODFETs.
In: IEEE Transactions on Electron Devices, 52 pp. 1933-1939.
[Artikel], (2005)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2005
Autor(en): Valizadeh, P. ; Pavlidis, D.
Titel: Investigation of the impact of Al mole-fraction on the consequences of RF stress on AlxGa1-xN/GaN MODFETs
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: IEEE Transactions on Electron Devices
Band: 52
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:23
Export:

Optionen (nur für Redakteure)

Eintrag anzeigen Eintrag anzeigen